[实用新型]一种增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构有效

专利信息
申请号: 202221608099.X 申请日: 2022-06-24
公开(公告)号: CN217606816U 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 马国海;谭文海;陈辉 申请(专利权)人: 江苏芯德半导体科技有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/31;H01L23/367
代理公司: 无锡华越知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32571 代理人: 朱锦国
地址: 210000 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 增加 散热 提升 电磁 屏蔽 芯片 封装 结构
【说明书】:

实用新型公开了一种增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构,包括基板、以及贴装于基板上各个器件,基板设有基板屏蔽层,基板屏蔽层的表面焊端贴装有塑封体屏蔽层,塑封体屏蔽层位于各器件之间,基板的表面设有塑封料层,需散热的器件漏出塑封料层,塑封料层的表面镀有整条的塑封体表面屏蔽层。本实用新型在设计有基板屏蔽层的基板上贴装器件后,在基板屏蔽层上贴装塑封体屏蔽层,然后进行填料塑封料,并漏出需散热器件,最后增加塑封体表面屏蔽层,其封装工艺结构简单,封装效率高,该封装结构确保了散热需求,同时减少了产品的厚度,通过塑封体屏蔽层形成各器件之间的电磁干扰阻断,并采用整条镀塑封体表面屏蔽层,进一步提升了电磁屏蔽效果。

技术领域

本实用新型涉及半导体封装技术领域,更具体涉及一种增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构。

背景技术

近年来,随着芯片技术的快速发展,芯片在大电流、高功率电器中应用越发广泛。

随着芯片的功能越来越复杂,同一芯片封装结构中的器件也越来越多,各器件之间的电磁屏蔽干扰也越来越厉害。目前,已有单颗期间电磁屏蔽技术,一般是在封装体之外加上金属制成的适当的电磁屏蔽金属壳,电磁屏蔽金属壳越厚,电磁屏蔽效果越好。但是,电磁屏蔽金属壳作为附件存在,会造成封装体的体积增加,无法满足封装小型化封装的需求,现有的电磁屏蔽效果也有待进一步提高。

另外,由于同一芯片封装结构中的器件也越来越多,工作过程中,产生的热量也越来越高,那么对封装结构的散热要求要越来越高,目前基本依靠基板进行散热,也有在芯片外包覆散热盖并在芯片与散热盖之间设置导热胶来进行散热,但是这样会增加芯片封装的厚度,且工艺复杂。

实用新型内容

为了解决上述问题,本实用新型提供了一种增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构,为局部电磁屏蔽,同时兼顾高散热的特性,实现整条电磁屏蔽,有利于产品的厚度降低,实现产品的微型化。

根据本实用新型的一个方面,提供了一种增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构,包括基板、以及贴装于基板上的若干个分离设置的器件,基板设有基板屏蔽层,基板屏蔽层的表面焊端贴装有塑封体屏蔽层,塑封体屏蔽层位于各器件之间,基板的表面设有塑封料层,需散热的器件漏出塑封料层,塑封料层的表面镀有整条的塑封体表面屏蔽层。

在一些实施方式中,塑封体屏蔽层竖直设置、且贯穿整个塑封料层。

在一些实施方式中,器件包括倒装芯片和正装芯片,正装芯片与倒装芯片之间至少设有一道塑封体屏蔽层。

在一些实施方式中,需散热的倒装芯片的表面漏出塑封料层。

在一些实施方式中,塑封料层形成时漏出需散热的倒装芯片的表面,或者塑封料层形成后研磨将需散热的倒装芯片的表面漏出。

在一些实施方式中,塑封体屏蔽层为铜层。

在一些实施方式中,塑封体表面屏蔽层为三层结构,包括依次设置的铁铬镍合金层、铜层、铁铬镍合金层。

与现有技术相比,本实用新型的有益效果是:本实用新型提供的芯片封装结构,在设计有基板屏蔽层的基板上贴装倒装芯片、正装芯片并焊线后,增加工艺,在基板屏蔽层的表面焊端贴装塑封体屏蔽层,然后进行填料塑封料形成塑封料层,在填充塑封料层时可直接露出需散热的倒装芯片,或者通过后研磨的方式漏出需散热的倒装芯片,最后增加塑封体表面屏蔽层,需散热的倒装芯片漏出,确保了散热需求,同时减少了产品的厚度,通过塑封体屏蔽层形成各器件之间的电磁干扰阻断,并采用整条镀塑封体表面屏蔽层,结合基板屏蔽层,共同形成屏蔽空间,进一步提升了电磁屏蔽效果,且本实用新型提供的芯片封装结构,其封装工艺结构简单,大大提高了封装效率,基板表面设计需求空间小,有利于产品的厚度降低。

附图说明

图1是本实用新型一种增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构的一实施方式的结构示意图;

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