[实用新型]一种增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构有效

专利信息
申请号: 202221608099.X 申请日: 2022-06-24
公开(公告)号: CN217606816U 公开(公告)日: 2022-10-18
发明(设计)人: 马国海;谭文海;陈辉 申请(专利权)人: 江苏芯德半导体科技有限公司
主分类号: H01L23/552 分类号: H01L23/552;H01L23/31;H01L23/367
代理公司: 无锡华越知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32571 代理人: 朱锦国
地址: 210000 江苏省南*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 一种 增加 散热 提升 电磁 屏蔽 芯片 封装 结构
【权利要求书】:

1.一种增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构,包括基板、以及贴装于基板上的若干个分离设置的器件,其特征在于,所述基板设有基板屏蔽层,所述基板屏蔽层的表面焊端贴装有塑封体屏蔽层,所述塑封体屏蔽层位于各器件之间,所述基板的表面设有塑封料层,需散热的所述器件漏出塑封料层,所述塑封料层的表面镀有整条的塑封体表面屏蔽层。

2.根据权利要求1所述的增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构,其特征在于,所述塑封体屏蔽层竖直设置、且贯穿整个塑封料层。

3.根据权利要求2所述的增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构,其特征在于,所述器件包括倒装芯片和正装芯片,所述正装芯片与倒装芯片之间至少设有一道塑封体屏蔽层。

4.根据权利要求3所述的增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构,其特征在于,需散热的所述倒装芯片的表面漏出塑封料层。

5.根据权利要求4所述的增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构,其特征在于,所述塑封料层形成时漏出需散热的倒装芯片的表面,或者塑封料层形成后研磨将需散热的倒装芯片的表面漏出。

6.根据权利要求1所述的增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构,其特征在于,所述塑封体屏蔽层为铜层。

7.根据权利要求1所述的增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构,其特征在于,所述塑封体表面屏蔽层为三层结构,包括依次设置的铁铬镍合金层、铜层、铁铬镍合金层。

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