[实用新型]一种增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构有效
| 申请号: | 202221608099.X | 申请日: | 2022-06-24 |
| 公开(公告)号: | CN217606816U | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
| 发明(设计)人: | 马国海;谭文海;陈辉 | 申请(专利权)人: | 江苏芯德半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L23/552 | 分类号: | H01L23/552;H01L23/31;H01L23/367 |
| 代理公司: | 无锡华越知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32571 | 代理人: | 朱锦国 |
| 地址: | 210000 江苏省南*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 增加 散热 提升 电磁 屏蔽 芯片 封装 结构 | ||
1.一种增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构,包括基板、以及贴装于基板上的若干个分离设置的器件,其特征在于,所述基板设有基板屏蔽层,所述基板屏蔽层的表面焊端贴装有塑封体屏蔽层,所述塑封体屏蔽层位于各器件之间,所述基板的表面设有塑封料层,需散热的所述器件漏出塑封料层,所述塑封料层的表面镀有整条的塑封体表面屏蔽层。
2.根据权利要求1所述的增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构,其特征在于,所述塑封体屏蔽层竖直设置、且贯穿整个塑封料层。
3.根据权利要求2所述的增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构,其特征在于,所述器件包括倒装芯片和正装芯片,所述正装芯片与倒装芯片之间至少设有一道塑封体屏蔽层。
4.根据权利要求3所述的增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构,其特征在于,需散热的所述倒装芯片的表面漏出塑封料层。
5.根据权利要求4所述的增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构,其特征在于,所述塑封料层形成时漏出需散热的倒装芯片的表面,或者塑封料层形成后研磨将需散热的倒装芯片的表面漏出。
6.根据权利要求1所述的增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构,其特征在于,所述塑封体屏蔽层为铜层。
7.根据权利要求1所述的增加散热提升电磁屏蔽的芯片封装结构,其特征在于,所述塑封体表面屏蔽层为三层结构,包括依次设置的铁铬镍合金层、铜层、铁铬镍合金层。
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