[实用新型]一种半导体复合耐热涂层

说明书

本实用新型涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体复合耐热涂层，包括半导体和耐热层组，耐热层组包括氮化铬铝涂层和氮化钛铝涂层，氮化铬铝涂层涂覆在半导体的外表壁，并呈条纹状依次分布，氮化钛铝涂层涂覆在氮化铬铝涂层的外表壁，并呈条纹状依次分布，氮化铬铝涂层和氮化钛铝涂层依次交错分布在半导体的外表壁，通过将氮化铬铝涂层和氮化钛铝涂层具备的超强耐高温属性，使半导体具备优秀的耐高温性，从而大幅提高半导体的使用寿命。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体复合耐热涂层。

背景技术

半导体在使用过程中，通常会散发热量，导致半导体长时间在高温下工作，容易降低性能甚至发生损坏。

在现有技术中，通过在半导体外部设置由聚对二甲苯涂层构成的耐热层，进而增加了半导体的耐热性，防止其温度过高而损坏。

但在前述的现有技术中，通过聚对二甲苯涂层产生的耐热性不足，使得半导体的耐热性较差，无法长时间使半导体保持高强度的使用。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种半导体复合耐热涂层，解决了现有技术中通过聚对二甲苯涂层产生的耐热性不足，使得半导体的耐热性较差，无法长时间使半导体保持高强度的使用的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供了一种半导体复合耐热涂层，包括半导体和耐热层组；

所述耐热层组包括氮化铬铝涂层和氮化钛铝涂层，所述氮化铬铝涂层涂覆在所述半导体的外表壁，并呈条纹状依次分布，所述氮化钛铝涂层涂覆在所述氮化铬铝涂层的外表壁，并呈条纹状依次分布，所述氮化铬铝涂层和所述氮化钛铝涂层依次交错分布在所述半导体的外表壁。

其中，所述耐热层组还包括聚芳醚酮涂层，所述聚芳醚酮涂层涂覆在所述氮化铬铝涂层和所述氮化钛铝涂层的外表壁。

其中，所述耐热层组还包括隔热层，所述隔热层设置于所述聚芳醚酮涂层的外部。

其中，所述隔热层包括稀土涂层和石墨烯涂层，所述稀土涂层涂覆在所述聚芳醚酮涂层的外表壁，所述石墨烯涂层涂覆在所述稀土涂层的外表壁。

其中，所述半导体复合耐热涂层还包括防护层组，所述防护层组设置于所述石墨烯涂层的外部。

其中，所述防护层组包括聚硅氧烷涂层和类金刚石绝缘涂层，所述聚硅氧烷涂层涂覆在所述石墨烯涂层的外表壁，所述类金刚石绝缘涂层涂覆在所述聚硅氧烷涂层的外表壁。

其中，所述防护层组还包括纳米涂层，所述纳米涂层涂覆在所述类金刚石绝缘涂层的外表壁。

本实用新型的一种半导体复合耐热涂层，将所述氮化铬铝涂层和所述氮化钛铝涂层依次交错涂覆在所述半导体的外表壁，进而使得所述半导体具备优秀的耐高温性，通过上述结构设置，通过交错涂覆的涂层，进而大大增强了所述半导体的耐热性，提高了使用寿命，使其能够长时间处于高温下运作。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。

图1是本实用新型的第一实施例的整体的结构示意图。

图2是本实用新型的图1的A-A线剖视图。

图3是本实用新型的图2的B处局部结构放大图。

图4是本实用新型的第二实施例的整体的结构示意图。

图5是本实用新型的图4的C-C线剖视图。

图6是本实用新型的图5的D处局部结构放大图。