[实用新型]半导体引线框架表面处理用电解装置有效

专利信息
申请号: 202221441892.5 申请日: 2022-06-07
公开(公告)号: CN217499462U 公开(公告)日: 2022-09-27
发明(设计)人: 门松明珠;周爱和 申请(专利权)人: 昆山一鼎工业科技有限公司
主分类号: C25D5/08 分类号: C25D5/08;C25D7/12;H01L21/48
代理公司: 常州至善至诚专利代理事务所(普通合伙) 32409 代理人: 郑晓军
地址: 215316 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 引线 框架 表面 处理 用电 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体引线框架表面处理用电解装置,其特征在于,包括:

电解溶液壳体(20),所述电解溶液壳体(20)的一侧具有开口,所述电解溶液壳体(20)内部填充有电解溶液;

电解阳极(30),所述电解阳极(30)盖设在所述开口处,所述电解阳极(30)上开设有多个沿厚度方向贯穿的溶液喷射口(51),所述溶液喷射口(51)连通所述电解溶液壳体(20)内部,以供所述电解溶液从所述溶液喷射口(51)喷出。

2.根据权利要求1所述的半导体引线框架表面处理用电解装置,其特征在于,所述电解溶液壳体(20)上具有多个连接部(22),多个所述连接部(22)分布于所述开口处,所述电解阳极(30)上具有多个连接孔,多个所述连接孔与多个所述连接部(22)一一对应,螺钉穿过所述连接孔与所述连接部(22)相连,以将所述电解阳极(30)固定在所述电解溶液壳体(20)上。

3.根据权利要求2所述的半导体引线框架表面处理用电解装置,其特征在于,所述电解溶液壳体(20)与所述开口相对的一侧开设有进液孔(21),所述进液孔(21)用于引入电解溶液。

4.根据权利要求1所述的半导体引线框架表面处理用电解装置,其特征在于,多个所述溶液喷射口(51)在所述电解阳极(30)上均匀分布。

5.根据权利要求1所述的半导体引线框架表面处理用电解装置,其特征在于,所述溶液喷射口(51)为圆孔,所述溶液喷射口(51)的轴线与所述电解阳极(30)所在平面相垂直。

6.根据权利要求1所述的半导体引线框架表面处理用电解装置,其特征在于,所述溶液喷射口(51)为圆孔,所述溶液喷射口(51)的轴线与所述电解阳极(30)所在平面的夹角大于45°且小于90°。

7.根据权利要求1所述的半导体引线框架表面处理用电解装置,其特征在于,所述溶液喷射口(51)为圆孔,一部分所述溶液喷射口(51)的轴线与所述电解阳极(30)所在平面的夹角大于45°且小于90°,另一部分所述溶液喷射口(51)的轴线与所述电解阳极(30)所在平面相垂直。

8.根据权利要求1所述的半导体引线框架表面处理用电解装置,其特征在于,所述溶液喷射口(51)为圆孔,所述溶液喷射口(51)的直径大于0.2mm且小于10mm。

9.根据权利要求8所述的半导体引线框架表面处理用电解装置,其特征在于,所述溶液喷射口(51)的直径大于0.2mm且小于8mm。

10.根据权利要求9所述的半导体引线框架表面处理用电解装置,其特征在于,所述溶液喷射口(51)的直径大于0.3mm且小于6mm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山一鼎工业科技有限公司,未经昆山一鼎工业科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202221441892.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top