[实用新型]一种硅片夹具和石墨舟有效
申请号: | 202221275478.1 | 申请日: | 2022-05-25 |
公开(公告)号: | CN217691119U | 公开(公告)日: | 2022-10-28 |
发明(设计)人: | 张一波;陈刚 | 申请(专利权)人: | 浙江爱旭太阳能科技有限公司;珠海富山爱旭太阳能科技有限公司;天津爱旭太阳能科技有限公司;广东爱旭科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/687 | 分类号: | H01L21/687;H01L31/18;H01L21/673;H01L21/67 |
代理公司: | 深圳盛德大业知识产权代理事务所(普通合伙) 44333 | 代理人: | 张红伟 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 硅片 夹具 石墨 | ||
本申请适用于太阳能电池技术领域,提供了一种硅片夹具和石墨舟。硅片夹具夹设于石墨舟片,硅片夹具包括连接块、第一遮挡片、第二遮挡片和收容空间,连接块连接第一遮挡片和第二遮挡片;连接块、第一遮挡片和第二遮挡片围成收容空间,石墨舟片设于收容空间并将收容空间分为第一收容槽和第二收容槽,第一收容槽和第二收容槽分别收容第一硅片和第二硅片;第一遮挡片遮挡第一硅片背离石墨舟片一面的栅线;第二遮挡片遮挡第二硅片背离石墨舟片一面的栅线。如此,可以在一个石墨舟片的两侧同时遮挡两个硅片的栅线,效率更高。
技术领域
本申请属于太阳能电池技术领域,尤其涉及一种硅片夹具和石墨舟。
背景技术
太阳能电池发电为一种可持续的清洁能源来源,其利用半导体p-n结的光生伏特效应可以将太阳光转化成电能。
硅片的正面通常镀氮化硅膜,再丝进行网印刷工序,采用含有金属氧化物的副栅浆料来刻蚀掉氮化硅并进行烧结,从而形成欧姆接触。然而,刻蚀氮化硅形成欧姆接触会引起较大的金属复合,导致太阳能电池的光电转换效率较低。因此,相关技术通过在镀膜时遮挡硅片的栅线来避免后续的刻蚀。然而,目前通常是对单个硅片的栅线进行遮挡,效率较低。
基于此,如何在镀膜时高效地遮挡硅片的栅线,成为了亟待解决的问题。
实用新型内容
本申请提供一种硅片夹具和石墨舟,旨在解决如何在镀膜时高效地遮挡硅片的栅线的问题。
第一方面,本申请提供的硅片夹具,夹设于石墨舟片,所述硅片夹具包括连接块、第一遮挡片、第二遮挡片和收容空间,所述连接块连接所述第一遮挡片和所述第二遮挡片;所述连接块、所述第一遮挡片和所述第二遮挡片围成所述收容空间,所述石墨舟片设于所述收容空间并将所述收容空间分为第一收容槽和第二收容槽,所述第一收容槽和所述第二收容槽分别收容第一硅片和第二硅片;所述第一遮挡片遮挡所述第一硅片背离所述石墨舟片一面的栅线;所述第二遮挡片遮挡所述第二硅片背离所述石墨舟片一面的栅线。
可选地,所述第一遮挡片形成有多个间隔的第一遮挡条,多个所述第一遮挡条遮挡所述第一硅片背离所述石墨舟片一面的副栅;和/或,所述第二遮挡片形成有多个间隔的第二遮挡条,多个所述第二遮挡条遮挡所述第二硅片背离所述石墨舟片一面的副栅。
可选地,所述连接块包括顶壁、第一侧臂和第二侧臂,所述第一侧臂和所述第二侧臂分别自所述顶壁的两个边缘向外延伸,并分别与多个所述第一遮挡条和多个所述第二遮挡条连接。
可选地,所述第一遮挡条的宽度为20μm-150μm;和/或,所述第二遮挡条的宽度为20μm-150μm。
可选地,相邻的两个所述第一遮挡条的间距为0.5mm-3mm;和/或,相邻的两个所述第二遮挡条的间距为0.5mm-3mm。
可选地,所述连接块包括连接顶边,所述连接顶边位于所述连接块远离所述第一遮挡片和所述第二遮挡片一端,并与所述石墨舟片的长度方向平行;
所述第一硅片在所述第一遮挡片上的投影与所述第一遮挡片重合,所述第一遮挡片包括第一顶边,所述第一顶边位于所述第一遮挡片靠近所述连接块的一端,并与所述连接顶边呈第一角度;
和/或,所述第二硅片在所述第二遮挡片上的投影与所述第二遮挡片重合,所述第二遮挡片包括第二顶边,所述第二顶边位于所述第二遮挡片靠近所述连接块的一端,并与所述连接顶边呈第二角度。
可选地,所述第一角度为0°-30°;
和/或,所述第二角度为0°-30°。
可选地,所述第一角度和所述第二角度相等。
可选地,所述连接块为陶瓷连接块或石墨连接块;和/或,所述第一遮挡片为第一陶瓷遮挡片或第一石墨遮挡片;和/或,所述第二遮挡片为第二陶瓷遮挡片或第二石墨遮挡片。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造