[实用新型]微波器件、线路板以及电子设备

权利要求书

1.一种微波器件，其特征在于，包括：

金属组件，包括辐射层、接收层以及屏蔽层，所述辐射层与所述接收层沿所述微波器件的厚度方向间隔设置，且所述接收层的阻抗与所述辐射层的阻抗相匹配；所述屏蔽层夹设于所述辐射层与所述接收层之间，并分别与所述辐射层及所述接收层绝缘设置，所述屏蔽层设有耦合缝隙，所述接收层通过所述耦合缝隙与所述辐射层相耦合；以及

介质组件，设置于所述辐射层与所述接收层之间，所述介质组件包括第一介质层、第二介质层以及第三介质层，所述第一介质层夹设于所述辐射层与所述屏蔽层之间，至少有一个所述第二介质层夹设于所述辐射层与所述屏蔽层之间，所述第三介质层夹设于所述接收层与所述屏蔽层之间。

2.根据权利要求1所述的微波器件，其特征在于，所述第二介质层至少为两个，且至少有两个所述第二介质层夹设于所述辐射层与所述屏蔽层之间。

3.根据权利要求2所述的微波器件，其特征在于，所述第二介质层为半固化片，且至少有一个所述第二介质层设置于所述第一介质层与所述屏蔽层之间，至少有一个所述第二介质层设置于所述第一介质层与所述屏蔽层之间。

4.根据权利要求3所述的微波器件，其特征在于，至少有一个第二介质层贴合于所述第一介质层。

5.根据权利要求1所述的微波器件，其特征在于，所述第二介质层为半固化片；和/或，所述第一介质层和所述第三介质层为介质板。

6.根据权利要求1所述的微波器件，其特征在于，所述第一介质层、所述第二介质层以及所述第三介质层相配合，以增大所述微波器件的透射性能。

7.根据权利要求1所述的微波器件，其特征在于，所述耦合缝隙包括第一缝隙和第二缝隙，所述第一缝隙的延长方向与所述第二缝隙的延长方向相交，所述接收层通过所述第一缝隙以及所述第二缝隙与所述辐射层相耦合。

8.根据权利要求7所述的微波器件，其特征在于，所述第一缝隙与所述第二缝隙相互垂直设置，所述屏蔽层还包括耦合枝节，所述耦合枝节设置于所述第一缝隙和/或所述第二缝隙上；和/或，所述接收层包括第一频率选择表面，所述辐射层包括第二频率选择表面。

9.根据权利要求1至8任一项所述的微波器件，其特征在于，所述第一介质层的数量为n1,所述第二介质层的数量为n2,所述第三介质层的数量为n3；所述第一介质层的介电常数为r1,所述第一介质层的介电常数为介质厚度为t1；所述第二介质层的介电常数为r2,所述第二介质层的介电常数为介质厚度为t2；所述第三介质层的介电常数为r3,所述第三介质层的介电常数为介质厚度为t3；其中，n1≥1,n2≥1,n3≥1；n1×r1×t1+n2×r2×t2＝n3×r3×t3。

10.根据权利要求1至8任一项所述的微波器件，其特征在于，所述介质组件还包括第四介质层，且至少有一个所述第四介质层夹设于所述接收层与所述屏蔽层之间。

11.根据权利要求10所述的微波器件，其特征在于，所述第一介质层的数量为n1,所述第二介质层的数量为n2,所述第三介质层的数量为n3，所述第三介质层的数量为n4；所述第一介质层的介电常数为r1,所述第一介质层的介电常数为介质厚度为t1；所述第二介质层的介电常数为r2,所述第二介质层的介电常数为介质厚度为t2；所述第三介质层的介电常数为r3,所述第三介质层的介电常数为介质厚度为t3；所述第四介质层的介电常数为r4,所述第四介质层的介电常数为介质厚度为t4；其中，n1≥1,n2≥1,n3≥1，n4≥1；n1×r1×t1+n2×r2×t2＝n3×r3×t3+n4×r4×t4。

12.一种线路板，其特征在于，包括权利要求1至11任一项所述的微波器件。

13.一种电子设备，其特征在于，包括权利要求1至12任一项所述的微波器件，或如权利要求11所述的线路板。