[实用新型]一种高可靠性键合劈刀有效
| 申请号: | 202221008273.7 | 申请日: | 2022-04-24 |
| 公开(公告)号: | CN218274518U | 公开(公告)日: | 2023-01-10 |
| 发明(设计)人: | 林中坤;谢兴铖;曹瑞军;杨剑;杨志民;史植广;刘皓;梁秋实 | 申请(专利权)人: | 有研工程技术研究院有限公司;有研(广东)新材料技术研究院 |
| 主分类号: | H01L21/607 | 分类号: | H01L21/607;B23K20/10 |
| 代理公司: | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人: | 张文宝 |
| 地址: | 101407 北京市怀*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 可靠性 劈刀 | ||
本实用新型公开了属于微组装互连技术领域的一种高可靠性键合劈刀,包括刀轴、连接槽和刀头,所述刀轴与刀头通过连接槽相连接,所述刀头端部为V字形状,并开设有引线孔,V字形刀头V字形端面开设有十字槽或网格槽,所述十字槽或网格槽的内壁上开设有圆弧槽或V型槽。本实用新型通过连接槽和引线孔、十字槽/网格槽等结构,保证了劈刀刀轴与刀架的连接稳定性,提高了引线传送的位置精度,增加了焊盘与基板的附着强度,从而增强焊盘可靠性增强和键合稳定性,提高了引线键合的键合效率和键合质量。
技术领域
本实用新型涉及微组装互连技术领域,尤其涉及一种高可靠性键合劈刀。
背景技术
半导体封装生产过程中,采用金属焊线进行焊接接线,在半导体元件上形成电极与引线框之间的电气导通,集成电路或分立器件打线传统的打线方式为:利用劈刀将焊线压在压焊区上、并通过劈刀将超声波焊接设备产生的高频振动波传递到金属线表面与芯片的压焊区之间,在加压的情况下使待焊接金属表面相互之间产生机械摩擦,使金属线与芯片接触面分子层之间熔合,从而实现焊接连接。现有技术中,焊盘与基板的附着强度较低,同时键合时键合丝受力不均,导致焊盘无法稳定成型,键合丝焊盘不易控制,容易随机方向偏移,键合面十字槽结构可以固定键合丝位置,因此,本实用新型提供了一种高可靠性键合劈刀。
实用新型内容
本实用新型的目的是针对焊盘与基板的附着强度较低,同时键合时键合丝受力不均,导致焊盘无法稳定成型,键合丝焊盘不易控制,容易随机方向偏移的问题提供一种高可靠性键合劈刀,所述高可靠性键合劈刀包括刀轴1、连接槽2和刀头3,其特征在于:所述刀轴1与刀头1通过连接槽相连接;刀头3端部为V字形状,在刀头V字端的一个端面下平行于该端面开设有引线孔6,在刀头V字端的另一个端面开设有十字槽或网格槽5,十字槽或网格槽5的内壁上开设有圆弧槽或V型槽4。
所述引线孔6为圆孔或方孔,所述圆孔直径为20-150μm,所述方孔的宽度K为20-150μm、厚度D为10-75μm,所述方孔宽度K与厚度D满足1K/4≤D≤1K/2。
所述十字槽或网格槽5的槽宽B为10-50μm,槽深H为5-25μm;所述槽宽B与槽深H满足1B/3≤H≤1B/2。
本实用新型的有益效果是:本实用新型通过设置连接槽保证了使用过程中劈刀刀轴与刀架的连接稳定性,避免了在焊接的过程中劈刀刀轴脱落导致焊接失败的情况,增强了键合稳定性;通过设置的引线孔使得键合引线可以顺利通畅地过渡到劈刀端面,保证引线传送的位置精度,在键合过程中不发生失效偏移,提高了引线键合的键合效率和键合质量;通过十字槽/网格槽固定键合引线位置,增加焊盘与基板的附着强度,增加引线拉力值,同时进一步改善键合引线均匀受力,提高焊盘成型稳定性,增强焊盘可靠性。
附图说明
图1为带有十字槽的劈刀的结构示意图;
图2为带有十字槽的劈刀的劈刀刀头的结构示意图。
图3为带有网格槽的劈刀的劈刀刀头的结构示意图。
图中标号:1-劈刀刀轴;2-连接槽;3-劈刀刀头;4-圆弧槽;5-网格槽;6-引线孔。
具体实施方式
本实用新型提供一种高可靠性键合劈刀,下面结合附图和实施例中对本实用新型进行清楚、完整地描述。
如图1所示为带有十字槽的劈刀的结构示意图。图1所示高可靠性键合劈刀包括刀轴1、连接槽2和刀头3,其中刀轴1与刀头1通过连接槽2相连接。如图2、3所示,刀头3端部为V字形状,在刀头V字端的一个端面下平行于该端面开设有引线孔6,在刀头V字端的另一个端面开设有十字槽或网格槽5,十字槽或网格槽5的内壁上开设有圆弧槽或V型槽4。
实施例1
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





