[实用新型]半导体制绒试剂浓度调节装置有效
申请号: | 202220973174.6 | 申请日: | 2022-04-25 |
公开(公告)号: | CN217606777U | 公开(公告)日: | 2022-10-18 |
发明(设计)人: | 郁亮;周志坚;李兴元;王建远;徐强 | 申请(专利权)人: | 昆山金城试剂有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/306 |
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地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 试剂 浓度 调节 装置 | ||
本实用新型属于半导体制绒剂技术领域,为了解决现有的半导体制绒剂单体稀释连续性差的技术问题,公开了一种半导体制绒试剂浓度调节装置,包括原料罐、纯水注入管、混合管和集料罐,原料罐的底部设置有L型的出液管,混合管的管口与出液管的管口之间通过弧形管连接,纯水注入管从上方垂直插入弧形管中;混合管为蛇形盘管,其底部出口与集料罐的顶部入口连接。通过氢氟酸出液的管道上直接注入纯水,氢氟酸与纯水充分接触,无需再倒入反应池内搅拌混合,对氢氟酸稀释的连续性效果好,且稀释时间短。
技术领域
本实用新型属于半导体制绒剂技术领域,涉及到半导体制绒试剂浓度调节装置。
背景技术
多晶硅片制绒的目的是:减少光的反射率,提高短路电流(Isc),最终提高电池的光电转换效率。由于多晶硅片由大小不一的多个晶粒组成,多晶面的共同存在导致多晶制绒不能采用单晶的各向异性碱腐蚀方法完成,当前工业中主要使用的多晶制绒方法为高浓度酸制绒。
多晶制绒工艺为HNO3,HF,DI Water混合体系,硝酸(HNO3)和氢氟酸(HF)的纯度直接影响多晶制绒效果。氢氟酸(HF)的制备过程中,超纯氟气通入纯水中得到氢氟酸。氢氟酸调节浓度后可用于生产多晶硅片制绒剂,目前,氢氟酸的浓度调节是在反应池内完成的,高浓度的氢氟酸导入反应池内挥发的无水氢氟酸气体会影响人体健康和环境安全,因此需要提出一种浓度调节装置,以解决上述技术问题。
实用新型内容
本实用新型要解决的技术问题是:提供一种无需人工倾倒便可完成浓度调节的装置。
为解决上述技术问题,本实用新型采用的技术方案如下:
一种半导体制绒试剂浓度调节装置,包括原料罐、纯水注入管、混合管和集料罐,所述原料罐的底部设置有L型的出液管,所述混合管的管口与所述出液管的管口之间通过弧形管连接,所述纯水注入管从上方垂直插入所述弧形管中;所述混合管为蛇形盘管,其底部出口与所述集料罐的顶部入口连接。
与现有技术相比,本实用新型具有的有益效果是:
1.通过氢氟酸出液的管道上直接注入纯水,氢氟酸与纯水充分接触,无需再倒入反应池内搅拌混合,对氢氟酸稀释的连续性效果好,且稀释时间短;
2.蛇形盘管状的混合管延长了氢氟酸到达集料罐的路径,可以充分有效地散发氢氟酸稀释产生的热量,无需外设其它的散热装置。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例中的技术方案,下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1为浓度调节装置的示意图;
图2为浓度调节装置的局部示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型所解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白,以下结合实施例,对本实用新型进行进一步的详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本实用新型,并不用于限制本实用新型。
实施例一
图1中所示的半导体制绒试剂浓度调节装置包括原料罐10、纯水注入管20、混合管30和集料罐40,原料罐10的底部设置有L型的出液管50,混合管的管口与出液管的管口之间通过弧形管60连接,纯水注入管从上方垂直插入弧形管60中;混合管30为蛇形盘管,其底部出口与集料罐40的顶部入口连接。原料罐为氟气与纯水混合的原有设备,原料罐10的底部具有启闭阀门,打开阀门后,浓的氢氟酸进入混合管内,纯水从纯水注入管进入混合管内与氢氟酸充分混合,在较短的时间内便可完成充分稀释。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造