[实用新型]一种应用在逐次逼近模数转换器中的超时监测电路有效

专利信息
申请号: 202220961504.X 申请日: 2022-04-24
公开(公告)号: CN217363059U 公开(公告)日: 2022-09-02
发明(设计)人: 焦子豪;孙权;罗红瑞;袁婷;张龙 申请(专利权)人: 西安航天民芯科技有限公司
主分类号: H03M1/10 分类号: H03M1/10;H03M1/38
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陈翠兰
地址: 710065 陕西省西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 应用 逐次 逼近 转换器 中的 超时 监测 电路
【权利要求书】:

1.一种应用在逐次逼近模数转换器中的超时监测电路,其特征在于,包括电容C1、N型MOS管MN1、P型MOS管MP1、P型MOS管MP2、P型MOS管MP3、反相器INV1、或非门NOR1和触发器DFF1;

所述触发器DFF1的D端接电源,Clk端接外部CNV信号,Q端接SAMP输出信号,QN端接N型MOS管MN1、P型MOS管MP1、P型MOS管MP2、P型MOS管MP3的栅极;

所述P型MOS管MP1的源端接电源,漏端接P型MOS管MP2的源端;P型MOS管MP2的漏端接P型MOS管MP3的漏端,N型MOS管MN1源端接地;

所述电容C1的一端接P型MOS管MP3的漏端、N型MOS管MN1的漏端和反相器INV1的输入端;

所述或非门NOR1的A1输入端接反相器INV1的输出端,A2输入端接外部ENB信号,输出端连接触发器DFF1的Reset输入端。

2.根据权利要求1所述一种应用在逐次逼近模数转换器中的超时监测电路,其特征在于,所述电容C1另一端与P型MOS管MP1的源端连接并接地。

3.根据权利要求1所述一种应用在逐次逼近模数转换器中的超时监测电路,其特征在于,所述P型MOS管MP1的漏极连接P型MOS管MP2的漏极。

4.根据权利要求1所述一种应用在逐次逼近模数转换器中的超时监测电路,其特征在于,所述CNV信号的有效电平为上升沿。

5.根据权利要求1所述一种应用在逐次逼近模数转换器中的超时监测电路,其特征在于,所述触发器DFF1的QN端的有效电平为低电平。

6.根据权利要求1所述一种应用在逐次逼近模数转换器中的超时监测电路,其特征在于,所述或非门NOR1的输出端的有效电平为高电平。

7.根据权利要求1所述一种应用在逐次逼近模数转换器中的超时监测电路,其特征在于,所述电容C1采用采用可调电容。

8.根据权利要求1所述一种应用在逐次逼近模数转换器中的超时监测电路,其特征在于,所述ENB信号的有效电平为低电平。

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