[实用新型]螺旋式伯努利半导体晶圆吸盘有效
申请号: | 202220920902.7 | 申请日: | 2022-04-15 |
公开(公告)号: | CN217933746U | 公开(公告)日: | 2022-11-29 |
发明(设计)人: | 常斌 | 申请(专利权)人: | 苏州幻点智能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京商专润文专利代理事务所(普通合伙) 11317 | 代理人: | 张鑫 |
地址: | 215000 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 螺旋式 伯努利 半导体 吸盘 | ||
本实用新型公开了螺旋式伯努利半导体晶圆吸盘。该吸盘包括一块密封板,所述密封板的正面前端分布设置有多个螺旋式伯努利吸盘,所述密封板的背面设置有一条压缩空气流通通道,所述压缩空气流通通道与各所述螺旋式伯努利吸盘均相连通;其中,所述螺旋式伯努利吸盘的内部具有中心吸附区,所述中心吸附区的外围具有螺旋气道。本实用新型中的螺旋式伯努利半导体晶圆吸盘采用了非接触式吸附,通过在吸盘和晶圆设置非接触带,有效避免因为接触所带来的晶圆擦伤害,还能够吸附大范围翘曲晶圆,以及匹配精密机械设备取放和手持式便携使用功能。
技术领域
本实用新型涉及吸盘领域,特别涉及螺旋式伯努利半导体晶圆吸盘。
背景技术
在半导体行业中,往往需要对晶圆进行吸附放置,常见的吸附方法是使用真空点位吸附的方式进行固定。然而,一方面,真空点位吸附方式一般只适用于厚度不小于100μm的晶圆,如果晶圆的尺寸小于此数值,比如一些薄型或者超薄种类的晶圆,往往会因为受到真空吸附力而破裂;另一方面,真空点位吸附方式也要求晶圆的翘曲度不能太大,一般不大于2mm,否则有可能造成真空泄露导致晶圆损伤;此外,真点位空吸附的方式需要跟晶圆直接密封接触,往往会很大程度造成晶圆接触面的摩擦划痕,并容易取放过程中会造成晶圆的脏污。上述缺点都会导致晶圆吸附稳定性大幅降低,并且可能在使用过程中由于吸附不稳定造成晶圆受到损伤。
实用新型内容
为解决上述问题,本实用新型提供了一种螺旋式伯努利半导体晶圆吸盘。
根据本实用新型的一个方面,提供了一种螺旋式伯努利半导体晶圆吸盘,包括一块密封板,所述密封板的正面前端分布设置有多个螺旋式伯努利吸盘,所述密封板的背面设置有一条压缩空气流通通道,所述压缩空气流通通道与各所述螺旋式伯努利吸盘均相连通;其中,所述螺旋式伯努利吸盘的内部具有中心吸附区,所述中心吸附区的外围具有螺旋气道。
本实用新型中的螺旋式伯努利半导体晶圆吸盘采用了非接触式吸附,通过在吸盘和晶圆设置非接触带,有效避免因为接触所带来的晶圆擦伤害,还能够吸附大范围翘曲晶圆,以及匹配精密机械设备取放和手持式便携使用功能。
在一些实施方式中,所述密封板的前端形成有一个圆形缺口,各所述螺旋式伯努利吸盘分布在所述圆形缺口的周围,所述压缩空气流通通道的前端环绕在在所述圆形缺口的周围。由此,描述了各螺旋式伯努利吸盘的具体分布方式。
在一些实施方式中,各所述螺旋气道上均具有一个贯穿所述密封板的通口,各所述通口与所述压缩空气流通通道相连通。由此,描述了螺旋式伯努利吸盘与压缩空气流通通道相连通的方式。
在一些实施方式中,所述压缩空气流通通道的前端分出多条分支,各所述分支分别与各所述通口相连通。由此,进一步描述了将压缩空气流通通道与各通口相连通的方式。
在一些实施方式中,所述压缩空气流通通道的后端具有压缩空气导入通道。由此,通过压缩空气导入通道能够向压缩空气流通通道中导入压缩空气。
在一些实施方式中,所述密封板的后端具有多个气体导入治具安装孔。由此,通过气体导入治具安装孔可以安装气体导入治具。
在一些实施方式中,所述螺旋式伯努利吸盘具有6个。由此,设置了螺旋式伯努利吸盘的合适数量。
在一些实施方式中,所述密封板的厚度不大于6mm,重量不大于500g。由此,设置了密封板的尺寸与重量。
附图说明
图1为本实用新型一实施方式的一种螺旋式伯努利半导体晶圆吸盘的结构示意图;
图2为图1所示一种螺旋式伯努利半导体晶圆吸盘的结构示意图;
图3为图1所示螺旋式伯努利吸盘的结构示意图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造