[实用新型]用于提高平板天线GT值的双通道低噪声放大器

权利要求书

1.用于提高平板天线GT值的双通道低噪声放大器，其特征在于，包括偏压电路和两路结构相同的低噪声放大电路，任一所述低噪声放大电路包括波导-微带过度转换电路、第一级低噪声放大器和第二级低噪声放大器，所述波导-微带过度转换电路输入端作为双通道低噪声放大器的输入端，所述波导-微带过度转换电路输出端连接所述第一级低噪声放大器的输入端，所述第一级低噪声放大器的输出端连接所述第二级低噪声放大器的输入端，所述第二级低噪声放大器的输出端作为所述双通道低噪声放大器的输出端，所述偏压电路为第一级低噪声放大器和第二级低噪声放大器提供偏置电压。

2.根据权利要求1所述的用于提高平板天线GT值的双通道低噪声放大器，其特征在于，任一所述低噪声放大电路还包括第一电容C5和第二电容C9，所述第一电容C5串联在所述第一级低噪声放大器的输出端和第二级低噪声放大器的输入端之间，所述第二电容C9设置在所述第二级低噪声放大器的输出端。

3.根据权利要求2所述的用于提高平板天线GT值的双通道低噪声放大器，其特征在于，任一所述低噪声放大电路还包括第一匹配电路、第二匹配电路、第三匹配电路和第四匹配电路，所述第一匹配电路串联在所述波导-微带过度转换电路与第一级低噪声放大器之间，所述第二匹配电路串联在所述第一级低噪声放大器的输出端和所述第一电容C5的第一端之间，所述第三匹配电路串联在所述第一电容C5的第二端和所述第二级低噪声放大器的输入端之间，所述第四匹配电路串联在所述第二级低噪声放大器的输出端和所述第二电容C9的第一端之间。

4.根据权利要求3所述的用于提高平板天线GT值的双通道低噪声放大器，其特征在于，所述第一级低噪声放大器包括场效应管U1和场效应管U2，所述第二级低噪声放大器包括场效应管U3和场效应管U4，所述第一匹配电路包括电感L1和电感L2，所述电感L2的第一端通过电容C1连接所述波导-微带过度转换电路的输出端，所述电感L2的第二端连接所述场效应管U1的栅极，所述电感L1的第一端连接所述电感L2的第一端，所述电感L1的第二端连接Vg2电源。

5.根据权利要求4所述的用于提高平板天线GT值的双通道低噪声放大器，其特征在于，所述第二匹配电路包括电感L3和电感L4，所述第三匹配电路包括电感L7和电感L8，所述电感L3的第一端连接所述场效应管U2的漏极，所述电感L3的第二端连接所述第一电容C5的第一端，所述电感L4的第一端连接所述电感L3的第二端，所述电感L4的第二端连接Vd1电源，所述电感L8的第一端连接所述第一电容C5的第一端，所述电感L8的第二端连接所述场效应管U3的栅极，所述电感L7的第一端连接所述电感L8的第一端，所述电感L7的第二端连接Vg3电源。

6.根据权利要求4所述的用于提高平板天线GT值的双通道低噪声放大器，其特征在于，所述第四匹配电路包括电感L11和电感L12，所述电感L11的第一端连接所述场效应管U4的漏极，所述电感L11的第二端连接所述第二电容C9的第一端，所述电感L12的第一端连接所述电感L1的第二端，所述电感L12的第二端连接Vd2电源，所述第二电容C9的第二端作为低噪声放大电路的输出端。