[实用新型]器件腐蚀用的装置有效
| 申请号: | 202220855468.9 | 申请日: | 2022-04-12 |
| 公开(公告)号: | CN217405393U | 公开(公告)日: | 2022-09-09 |
| 发明(设计)人: | 蔡齐航;杨鑫;余维松;刘涛;张晓威 | 申请(专利权)人: | 苏试宜特(上海)检测技术股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海唯源专利代理有限公司 31229 | 代理人: | 宋小光 |
| 地址: | 201103 上海市闵*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 器件 腐蚀 装置 | ||
本实用新型涉及一种器件腐蚀用的装置,包括:内部中空且供盛装腐蚀溶液的容器,容器的顶面为敞口;固设于容器底面且呈竖向设置的支撑组件,高度可调;可拆卸地安装于支撑组件顶部的承载台,承载台的底面形成有呈水平状的粘贴面以供粘贴器件。本实用新型中承载台可拆卸地安装于支撑组件顶部以便于拆卸承载台,以方便的在承载台上安装拆卸器件,器件可粘贴于呈水平状的粘贴面上以确保器件的平整度,根据腐蚀溶液的加注量以及器件需腐蚀的高度对支撑组件的高度进行调节,进而控制器件浸入腐蚀溶液部分的高度,以控制器件的腐蚀程度,避免器件过多的浸入腐蚀溶液而造成器件损坏的问题。
技术领域
本实用新型涉及半导体技术领域,特指一种器件腐蚀用的装置。
背景技术
随着摩尔定律的不断发展,半导体器件的种类愈加多样,半导体器件的失效分析尤其是微小结构的分析对各大领域都具有重大意义。然而,由于这些半导体器件的制造工艺保密性较高,相关的版图、结构以及成分等信息来源较少,无法通过器件的表面判断底部结构,研究者只能通过破坏性分析得到这些缺少的关键信息。然而,破坏性分析的方法难以控制,较易对器件造成损坏,影响后续纳米尺度结构的分析(即透射电子显微镜(TEM)样品制备与TEM分析),器件后续的结构设计与性能优化也较难实现。
传统的失效分析中,由于不清楚半导体器件版图、结构以及成分等信息,研究的区域未知,只能通过化学腐蚀的方法,解析器件内部结构。然而,传统的化学腐蚀一般是将器件整体浸入腐蚀溶液中进行腐蚀,这种方法难以控制腐蚀程度,极易对器件造成不同程度的损伤。
实用新型内容
本实用新型的目的在于克服现有技术的缺陷,提供一种器件腐蚀用的装置,以解决现有技术中对器件进行整体腐蚀容易损坏器件的问题。
为实现上述目的,本实用新型提供了一种器件腐蚀用的装置,包括:
内部中空且供盛装腐蚀溶液的容器,所述容器的顶面为敞口;
固设于所述容器底面且呈竖向设置的支撑组件,高度可调;
可拆卸地安装于所述支撑组件顶部的承载台,所述承载台的底面形成有呈水平状的粘贴面以供粘贴所述器件。
本实用新型中承载台可拆卸地安装于支撑组件顶部以便于拆卸承载台,以方便的在承载台上安装拆卸器件,器件可粘贴于呈水平状的粘贴面上以确保器件的平整度,根据腐蚀溶液的加注量以及器件需腐蚀的高度对支撑组件的高度进行调节,进而控制器件浸入腐蚀溶液部分的高度,以控制器件的腐蚀程度,避免器件过多的浸入腐蚀溶液而造成器件损坏的问题。本实用新型通过调节支撑组件的高度,进而调节承载台的高度,可适配不同器件的不同浸入高度,以满足不同器件的不同腐蚀程度的需求。
本实用新型器件腐蚀用的装置的进一步改进在于,所述支撑组件包括相互套合连接的至少两个连接杆。
本实用新型器件腐蚀用的装置的进一步改进在于,相邻两个所述连接杆螺纹连接。
本实用新型器件腐蚀用的装置的进一步改进在于,还包括可拆卸地安装于所述支撑组件顶部的安装件,所述安装件部分伸出所述支撑组件外形成吊设部;
所述承载台吊设于所述吊设部上。
本实用新型器件腐蚀用的装置的进一步改进在于,所述支撑组件的顶部形成有插接部;
所述安装件的底面设有与所述插接部相适配的插槽,所述插接部插置于所述插槽中。
本实用新型器件腐蚀用的装置的进一步改进在于,所述插接部为呈横向设置的插板。
本实用新型器件腐蚀用的装置的进一步改进在于,还包括安装连接于所述安装件和所述承载台之间的吊杆,呈竖向设置。
本实用新型器件腐蚀用的装置的进一步改进在于,所述安装件为内部中空的杯体,所述杯体的底面为敞口,所述杯体的顶壁可拆卸地安装于所述支撑组件的顶部。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





