[实用新型]一种在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路

说明书

本实用新型提供了一种在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路，包括：电容、稳压二极管以及MOS管，电容、稳压二极管及MOS管之间相互并联，电容的第一端、稳压二极管的第一端及MOS管的源极接地，MOS管的漏极与负载连接；当电源输出到电容上，当电压到5V时，MOS管会导通，此时为高阻导通状态，直到电容电压冲到10V时，MOS管才会进入完全导通状态，通过利用MOS管的栅极低压高阻导通特性来实现开机电流尖峰抑制，抑制效果良好，使用方便。本实用新型的延时导通电路，通过利用MOS管的栅极低压高阻导通特性来实现开机电流尖峰抑制，抑制效果良好，使用方便。

技术领域

本实用新型涉及开机电流抑制电路技术领域，尤其涉及一种在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路。

背景技术

随着电源技术的不断发展，开关电源的小型化和高效化越来越得到重视。以往开关电源模块的设计重点一般放在电压转换等主电路上，对于防反接、浪涌抑制等保护电路，大多使用标准电路形式或使用模块化设备，存在功耗高、性能较弱或体积较大等缺点。

相关技术的采用传统二极管、电阻及电容连接，通过将二极管、电阻和电容并联，用于阻止导通电路中开机电流浪涌。

然而，由于上述通过将二极管、电阻和电容并联，使得通过的电流过小，并不能起到良好的控制，保护电路的安全；针对防反接功能要求，使用传统二极管防反保护会产生较大损耗，效率较低。

实用新型内容

针对以上相关技术的不足，本实用新型提出一种开机电流尖峰抑制效果差的在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路。

为了解决上述技术问题，本实用新型实施例提供了一种在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路，包括：电容、稳压二极管以及MOS管，所述电容、所述稳压二极管及所述MOS管之间相互并联，所述电容的第一端、所述稳压二极管的第一端及所述MOS管的源极接地，所述MOS管的漏极与负载连接。

优选的，所述延时导通电路还包括半导体二极管，所述半导体二极管分别与所述电容的第二端、所述稳压二极管的第二端及所述MOS管的栅极串联。

优选的，所述延时导通电路还包括第一电阻，所述第一电阻分别与所述电容的第二端、所述稳压二极管的第二端及所述MOS管的栅极串联。

优选的，所述半导体二极管与所述第一电阻串联。

优选的，所述延时导通电路还包括第二电阻，所述第二电阻分别与所述电容、所述稳压二极管及所述MOS管并联，所述第二电阻的第一端接地，所述第二电阻的第二端与所述第一电阻串联。

优选的，所述MOS管的型号包括RU6080L、PTD20N06其中的任意一种。

优选的，所述半导体二极管为硅二极管。

与相关技术相比，本实用新型通过将所述电容、所述稳压二极管及所述MOS 管之间相互并联，所述电容的第一端、所述稳压二极管的第一端及所述MOS管的源极接地，所述MOS管的漏极与负载连接；当电源输出到电容上，当电压到 5V时，MOS管会导通，此时为高阻导通状态，直到电容电压冲到10V时，MOS管才会进入完全导通状态，通过利用MOS管的栅极低压高阻导通特性来实现开机电流尖峰抑制，抑制效果良好，使用方便。

视图：下面结合附图详细说明本实用新型。通过结合以下附图所作的详细描述，本实用新型的上述或其他方面的内容将变得更清楚和更容易理解。附图中：

附图说明

图1为本实用新型负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路的电路图。

具体实施方式

下面结合附图详细说明本实用新型的具体实施方式。