[实用新型]一种在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路有效
| 申请号： | 202220831019.0 | 申请日： | 2022-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN217406186U | 公开（公告）日： | 2022-09-09 |
| 发明（设计）人： | 郑录古 | 申请（专利权）人： | 佛山市锐霸电子有限公司 |
| 主分类号： | H02H9/02 | 分类号： | H02H9/02;H03K17/284 |
| 代理公司： | 佛山市禾才知识产权代理有限公司 44379 | 代理人： | 单蕴倩;何慧敏 |
| 地址： | 528500 广东省佛山市高明*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 抑制 开机 尖峰 电流 延时 通电 | ||
1.一种在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路，其特征在于，包括：电容、稳压二极管以及MOS管，所述电容、所述稳压二极管及所述MOS管之间相互并联，所述电容的第一端、所述稳压二极管的第一端及所述MOS管的源极接地，所述MOS管的漏极与负载连接。
2.如权利要求1所述的在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路，其特征在于，所述延时导通电路还包括半导体二极管，所述半导体二极管分别与所述电容的第二端、所述稳压二极管的第二端及所述MOS管的栅极串联。
3.如权利要求2所述的在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路，其特征在于，所述延时导通电路还包括第一电阻，所述第一电阻分别与所述电容的第二端、所述稳压二极管的第二端及所述MOS管的栅极串联。
4.如权利要求3所述的在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路，其特征在于，所述半导体二极管与所述第一电阻串联。
5.如权利要求4所述的在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路，其特征在于，所述延时导通电路还包括第二电阻，所述第二电阻分别与所述电容、所述稳压二极管及所述MOS管并联，所述第二电阻的第一端接地，所述第二电阻的第二端与所述第一电阻串联。
6.如权利要求1所述的在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路，其特征在于，所述MOS管的型号包括RU6080L、PTD20N06其中的任意一种。
7.如权利要求2所述的在负端抑制开机尖峰电流的延时导通电路，其特征在于，所述半导体二极管为硅二极管。
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