[实用新型]一种降低触控线电容的像素结构

说明书

本实用新型公开一种降低触控线电容的像素结构，其包括基板以及由下至上依次设置在基板上的第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、第一绝缘层、第三金属层、有机层、第二绝缘层、共通电极、第三绝缘层和像素电极；将有机层制备在第三金属层之后,使得作为触控线的第三层金属与共通电极之间设有有机层和第二绝缘层，有机层较厚为第二绝缘层的厚度的5~10倍，使得触控线（第三层金属）与共通电极之间的距离增大，触控线（第三层金属）与共通电极之间的电容减小，触控线（TP线）的总电容也减小。本实用新型触控线总电容减小了38.7%。提高触控的灵敏性。

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种降低触控线电容的像素结构。

背景技术

对于TIC（Touch in Panel）的产品，即触控屏线（touch panel，简称TP线）在面板上，采用三层金属的设计，即触控线用第三层金属（M3）制备。对于先前的这种设计，M3制备在有机层（Organic，简称OC）之后，如图1，Top COM与Mid COM架构的像素均适用。以Mid COM架构的像素为例。对于MID COM架构，触控线与共通电极只夹了一层绝缘层，厚度在0.2um~0.5um；对于TOP COM架构，触控线与共通电极只夹了两层绝缘层以及一层像素电极，厚度在0.4um~1um，触控线与共通电极距离太近，导致触控线与共同电极之间的电容太大。

发明内容

本实用新型的目的在于提供一种降低触控线电容的像素结构。

本实用新型采用的技术方案是：

一种降低触控线电容的像素结构，其包括基板以及由下至上依次设置在基板上的第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、第一绝缘层、第三金属层、有机层、第二绝缘层、共通电极、第三绝缘层和像素电极；第一金属层覆盖基板上表面部分区域，第一金属层作为薄膜晶体管的栅极，即扫描线；栅极绝缘层完全覆盖第一金属层以及基板上非第一金属层覆盖区域；半导体层设置在栅极绝缘层上对应第一金属层位置，半导体层作为薄膜晶体管的沟道；半导体层上设有第二金属层，第二金属层在半导体层两侧上表面分别形成薄膜晶体管的源极和漏极，薄膜晶体管的源极即为数据线，第一绝缘层设置第二金属层上并隔离第二金属层；

第三金属层设在第一绝缘层上表面，第三金属层即为触控线；共通电极设在第二绝缘层的上表面对应第三金属层区域；

位于像素电极与第二金属层之间的第三绝缘层、第二绝缘层、有机层和第一绝缘层的竖直方向对应设置像素过孔，像素电极布置在像素过孔内并借由像素过孔与第二金属层中作为薄膜晶体管漏极的区域接触。

进一步地，薄膜晶体管的漏极部分覆盖半导体层一侧上表面区域，薄膜晶体管的漏极的另一部分覆盖栅极绝缘层。

进一步地，栅极绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝中的一种。

一种降低触控线电容的像素结构的制备方法，其包括以下步骤：

步骤1、提供基板，在基板上表面部分区域制作第一金属层；

步骤2、制作栅极绝缘层完全覆盖第一金属层以及基板上非第一金属层覆盖区域；

步骤3、在栅极绝缘层上对应第一金属层位置制作半导体层；

步骤4、在半导体层上制作第二金属层，并在第二金属层蚀刻出图案，以在半导体层两侧上表面分别形成薄膜晶体管的源极和漏极；

步骤5、在第二金属层上制作第一绝缘层，完全覆盖并隔离第二金属层，且在第一绝缘层对应薄膜晶体管的漏极位置制作像素过孔；

步骤6、在第一绝缘层上制作第三金属层；

步骤7、制作有机层覆盖在第三金属层和第一绝缘层上表面，并在有机层上显影暴露出像素过孔；