[实用新型]一种降低触控线电容的像素结构

权利要求书

1.一种降低触控线电容的像素结构，其特征在于：其包括基板以及由下至上依次设置在基板上的第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、第一绝缘层、第三金属层、有机层、第二绝缘层、共通电极、第三绝缘层和像素电极；第一金属层覆盖基板上表面部分区域，第一金属层作为薄膜晶体管的栅极，即扫描线；栅极绝缘层完全覆盖第一金属层以及基板上非第一金属层覆盖区域；半导体层设置在栅极绝缘层上对应第一金属层位置，半导体层作为薄膜晶体管的沟道；半导体层上设有第二金属层，第二金属层在半导体层两侧上表面分别形成薄膜晶体管的源极和漏极，薄膜晶体管的源极即为数据线，第一绝缘层设置第二金属层上并隔离第二金属层；

第三金属层设在第一绝缘层上表面，第三金属层即为触控线；共通电极设在第二绝缘层的上表面对应第三金属层区域；

位于像素电极与第二金属层之间的第三绝缘层、第二绝缘层、有机层和第一绝缘层的竖直方向对应设置像素过孔，像素电极布置在像素过孔内并借由像素过孔与第二金属层中作为薄膜晶体管漏极的区域接触。

2.根据权利要求1所述的一种降低触控线电容的像素结构，其特征在于：薄膜晶体管的漏极部分覆盖半导体层一侧上表面区域，薄膜晶体管的漏极的另一部分覆盖栅极绝缘层。

3.根据权利要求1所述的一种降低触控线电容的像素结构，其特征在于：栅极绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝中的一种。

4.根据权利要求1所述的一种降低触控线电容的像素结构，其特征在于：第二绝缘层对应像素过孔的两侧部分覆盖在第一绝缘层上。

5.一种降低触控线电容的像素结构，其特征在于：其包括基板以及由下至上依次设置在基板上的第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、第一绝缘层、第三金属层、第二绝缘层、有机层、共通电极、第三绝缘层和像素电极；第一金属层覆盖基板上表面部分区域，第一金属层作为薄膜晶体管的栅极，即扫描线；栅极绝缘层完全覆盖第一金属层以及基板上非第一金属层覆盖区域；半导体层设置在栅极绝缘层上对应第一金属层位置，半导体层作为薄膜晶体管的沟道；半导体层上设有第二金属层，第二金属层在半导体层两侧上表面分别形成薄膜晶体管的源极和漏极，薄膜晶体管的源极即为数据线，第一绝缘层设置第二金属层上并隔离第二金属层；

第三金属层设在第一绝缘层上表面，第三金属层即为触控线；共通电极设在有机层上表面对应第三金属层区域；

位于像素电极与第二金属层之间的第三绝缘层、第二绝缘层、有机层和第一绝缘层的竖直方向对应设置像素过孔，像素电极布置在像素过孔内并借由像素过孔与第二金属层中作为薄膜晶体管漏极的区域接触。

6.根据权利要求5所述的一种降低触控线电容的像素结构，其特征在于：薄膜晶体管的漏极部分覆盖半导体层一侧上表面区域，薄膜晶体管的漏极的另一部分覆盖栅极绝缘层。

7.根据权利要求5所述的一种降低触控线电容的像素结构，其特征在于：栅极绝缘层的材料为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝中的一种。

8.根据权利要求5所述的一种降低触控线电容的像素结构，其特征在于：第三绝缘层对应像素过孔的两侧部分覆盖在第二绝缘层上。