[实用新型]一种高真空键合系统有效
| 申请号： | 202220787131.9 | 申请日： | 2022-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN217444338U | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 冉锐 | 申请（专利权）人： | 四川景恒科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603;H01L21/67 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 罗容 |
| 地址： | 637200 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 真空 系统 | ||
1.一种高真空键合系统，包括键合机真空腔室(10)，其特征在于，还包括抽真空系统和充气系统；
所述抽真空系统包括机械泵(1)、抽真空总管(3)、抽真空支管一(5)、抽真空支管二(6)和分子泵(8)，所述抽真空支管一(5)和抽真空支管二(6)均与键合机真空腔室(10)连通，所述分子泵(8)设在抽真空支管二(6)上；
所述充气系统包括充气管道(19)和混气装置(20)，所述充气管道(19)两端分别与键合机真空腔室(10)和混气装置(20)连通。
2.根据权利要求1所述的一种高真空键合系统，其特征在于，所述抽真空总管(3)上还设有电磁隔断放气阀(2)。
3.根据权利要求1所述的一种高真空键合系统，其特征在于，所述抽真空支管一(5)上设置有电磁隔断阀(4)，所述抽真空支管二(6)上设置有前级阀(7)和闸板阀(9)，所述前级阀(7)和闸板阀(9)分设在分子泵(8)的前后端。
4.根据权利要求1所述的一种高真空键合系统，其特征在于，所述充气管道(19)上设置有充气阀门(18)。
5.根据权利要求1所述的一种高真空键合系统，其特征在于，所述混气装置(20)连通有多根混气进气管(21)，所述混气进气管(21)上设置有流量计(22)。
6.根据权利要求1所述的一种高真空键合系统，其特征在于，所述键合机真空腔室(10)上部设置有上样品台(11)，所述上样品台(11)与升降装置(12)连接，所述键合机真空腔室(10)下部设置有下样品台(14)。
7.根据权利要求6所述的一种高真空键合系统，其特征在于，所述下样品台(14)底部设置有冷却腔体(15)，所述冷却腔体(15)与冷却管道(16)连通。
8.根据权利要求7所述的一种高真空键合系统，其特征在于，所述下样品台(14)下方还连接有压力变送器(17)。
9.根据权利要求1所述的一种高真空键合系统，其特征在于，所述键合机真空腔室(10)连接有复合真空计(13)。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
