[实用新型]高压隔爆柜中底盘车的控制电路有效

专利信息
申请号: 202220757212.4 申请日: 2022-04-01
公开(公告)号: CN217010736U 公开(公告)日: 2022-07-19
发明(设计)人: 汪文士;彭俊杰;王蔚;周鑫龙 申请(专利权)人: 无锡军工智能电气股份有限公司
主分类号: H02P23/24 分类号: H02P23/24;H02B1/24;H02B1/16;H02B11/02
代理公司: 无锡市兴为专利代理事务所(特殊普通合伙) 32517 代理人: 屠志力
地址: 214000 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 高压 隔爆柜中 底盘 控制电路
【权利要求书】:

1.一种高压隔爆柜中底盘车的控制电路,包括前进控制子电路、后退控制子电路和驱动子电路;其特征在于,

前进控制子电路包括:NPN三极管Q5、继电器K5的线圈K5A、电阻R9、R21、R10、二极管VD5;电阻R21的一端接电阻R9的一端,并用于接微处理器的控制信号DO5,电阻R9的另一端接地GND,电阻R21的另一端接三极管Q5的基极和电阻R10的一端,三极管Q5的发射极和电阻R10的另一端接地GND;三极管Q5的集电极接继电器K5的线圈K5A的一端和二极管VD5的阳极,继电器K5的线圈K5A的另一端和二极管VD5的阴极接正电压VCC1;

后退控制子电路包括:NPN三极管Q6、继电器K6的线圈K6A、电阻R11、R22、R12、二极管VD6;电阻R22的一端接电阻R11的一端,并用于接微处理器的控制信号DO6,电阻R11的另一端接地GND,电阻R22的另一端接三极管Q6的基极和电阻R12的一端,三极管Q6的发射极和电阻R12的另一端接地GND;三极管Q6的集电极接继电器K6的线圈K6A的一端和二极管VD6的阳极,继电器K6的线圈K6A的另一端和二极管VD6的阴极接正电压VCC1;

驱动子电路包括整流器VB1、电机M1、继电器K5的单刀双掷开关K5B、继电器K6的单刀双掷开关K6B、NMOS管Q11、电阻R26、R27、电流反馈子电路;

整流器VB1的输入侧用于接交流电AC,整流器VB1输出侧正极接安规电容CX2一端、继电器K5的单刀双掷开关K5B的常开静端和继电器K6的单刀双掷开关K6B的常开静端;整流器VB1输出侧负极和安规电容CX2的另一端接地GNDA;电机M1的两端分别连接继电器K5的单刀双掷开关K5B的动端和继电器K6的单刀双掷开关K6B的动端;继电器K5的单刀双掷开关K5B的常闭静端和继电器K6的单刀双掷开关K6B的常闭静端均连接NMOS管Q11的漏极;NMOS管Q11的栅极接电阻R26的一端和R27的一端,并用于接PWM控制信号Q1,电阻R26的另一端接正电压VCC2,电阻R27的另一端接地GND;NMOS管Q11的源极接电流反馈子电路。

2.如权利要求1所述的高压隔爆柜中底盘车的控制电路,其特征在于,

还包括二极管VD13,二极管VD13的阴极接整流器VB1输出侧正极,二极管VD13的阳极接NMOS管Q11的漏极。

3.如权利要求1所述的高压隔爆柜中底盘车的控制电路,其特征在于,

电流反馈子电路包括二极管VD9、VD10、电阻R81、R83、电容C19、运算放大器U1、电阻RB1、RB5;电阻R81作为采样电阻一端接NMOS管Q11的源极、二极管VD9的阳极和电阻R83的一端,二极管VD9的阴极接二极管VD10的阳极,二极管VD10的阴极和电阻R81的另一端接地GNDA,电阻R83的另一端接电容C19的一端和运算放大器U1的同相输入端,电容C19的另一端接地GNDA,运算放大器U1的反相输入端接电阻RB1的一端和电阻RB5的一端,电阻RB5的另一端接地GND,运算放大器U1的输出端接电阻RB1的另一端并用于向微处理器发送电流采样反馈信号VIN1。

4.如权利要求1所述的高压隔爆柜中底盘车的控制电路,其特征在于,

正电压VCC1为+5v。

5.如权利要求1所述的高压隔爆柜中底盘车的控制电路,其特征在于,

正电压VCC2为+12v。

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