[实用新型]一种金属片托组件

说明书

本实用新型提供的金属片托组件，涉及芯片制造领域。该金属片托组件包括片托主体和多个卡扣结构，片托主体设有收容腔室，收容腔室用于收容芯片，多个卡扣结构均与片托主体转动连接；卡扣结构包括压片部和拨动部，压片部与拨动部连接并成夹角，压片部用于抵接芯片，拨动部用于接受外力，以使压片部和拨动部相对片托主体转动。本实用新型提供的金属片托组件对芯片边缘有效芯粒影响小，有利于保证芯片合格率。

技术领域

本实用新型涉及芯片制造领域，具体而言，涉及一种金属片托组件。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)产品背面溅射工步是芯片制造的重要步骤，背面溅射使用的金属片托对于溅射效果具有很大影响，尤其对于IGBT产品超薄芯片，金属片托能直接影响溅射效果。现有技术中，金属片托的卡扣结构用于固定芯片，但是如果卡扣结构过长,会使溅射后的IGBT产品背面溅射爪印较长,影响芯片合格率，而如果卡扣结构过短又会引发溅射掉片，往往也会造成芯片崩边及暗纹问题。

实用新型内容

本实用新型的目的包括，例如，提供一种金属片托组件，其对芯片边缘有效芯粒影响小，有利于保证芯片合格率。

本实用新型的实施例可以这样实现：

本实用新型实施例提供一种金属片托组件，一种金属片托组件，包括片托主体和多个卡扣结构，所述片托主体设有收容腔室，所述收容腔室用于收容芯片，所述多个卡扣结构均与所述片托主体转动连接；

所述卡扣结构包括压片部和拨动部，所述压片部与所述拨动部连接并成夹角，所述压片部用于抵接所述芯片，所述拨动部用于接受外力，以使所述压片部和所述拨动部相对所述片托主体转动。

进一步地，在可选的实施例中，所述压片部与所述拨动部连接成V形，所述压片部与所述拨动部的连接处与所述片托主体转动连接。

进一步地，在可选的实施例中，所述压片部与所述拨动部的连接处与所述片托主体之间的转动连接方式为阻尼转动。

进一步地，在可选的实施例中，所述压片部的长度小于所述拨动部的长度。

进一步地，在可选的实施例中，所述拨动部能够与所述片托主体抵接。

进一步地，在可选的实施例中，所述压片部的长度范围为3mm-5mm，所述拨动部的长度范围为6mm-10mm。

进一步地，在可选的实施例中，所述压片部与所述拨动部之间的夹角范围为30°-50°。

进一步地，在可选的实施例中，所述卡扣结构的数量为六个，且相邻两个所述卡扣结构所对应的中心角相等。

进一步地，在可选的实施例中，所述片托主体向内凹陷形成所述收容腔室以及位于所述收容腔室外周的凸壁，所述卡扣结构可转动地铆接于所述凸壁。

进一步地，在可选的实施例中，所述拨动部成弧形，且所述弧形与所述凸壁的弧形一致。