[实用新型]激光剥离装置

说明书

本实用新型涉及一种激光剥离装置，属于半导体技术领域。激光剥离装置包括：第一承载板，第一承载板开设有容置槽，待剥离件容置在容置槽内；第二承载板，第二承载板设置在第一承载板上以挤压待剥离件，第二承载板开设有供激光穿过的通孔，通孔与容置槽对应设置。本实用新型解决了现有技术中激光剥离装置效率较低的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种激光剥离装置。

背景技术

目前，由于Micro LED显示装置制造步骤较为繁琐难以降低制造成本，阻碍了Micro LED显示装置的产业化发展。例如，在进行激光剥离时良率低下造成其难以产业化，其原因是激光剥离时Micro LED分解层产生气体(N₂氮气)使生长基板与暂存基板分离，从而产生大量的断晶或者芯片倾斜等不良，大大影响了激光剥离的效率和良率。

因此，如何提高激光剥离效率是亟需解决的问题。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种激光剥离装置，旨在解决现有技术中激光剥离效率较低的问题。

一种激光剥离装置，包括：第一承载板，第一承载板开设有容置槽，待剥离件容置在容置槽内；第二承载板，第二承载板设置在第一承载板上以挤压待剥离件，第二承载板开设有供激光穿过的通孔，通孔与容置槽对应设置。

上述通过设置第一承载板和第二承载板，第一承载板开设有容置槽，待剥离件容置在容置槽内，第二承载板设置在第一承载板上以挤压待剥离件，第二承载板开设有供激光穿过的通孔，通孔与容置槽对应设置，这样在第一承载板和第二承载板的挤压下，待剥离件能够稳定地被固定在容置槽内，待剥离件进行激光剥离时产生的气体无法使待剥离件的生长基板与暂存基板分离，从而避免断晶、芯片倾斜等不良的发生，保证了激光剥离效率，解决了现有技术中激光剥离效率较低的问题。

可选地，激光剥离装置还包括加热组件，加热组件设置在容置槽内，用于对待剥离件进行预加热。通过设置加热组件对待剥离件进行预加热，可以有效降低GaN的分解温度，有效降低剥离GaN所需的阈值脉冲激光能量密度，有利于减小GaN受激光作用后的温度起伏产生的热应力，从而实现对GaN的低损伤剥离，提高激光剥离效率。

可选地，激光剥离装置还包括磁吸件，第一承载板或第二承载板由铁磁性材料制成，磁吸件设置在第二承载板或第一承载板上，用于吸附第一承载板或第二承载板。通过上述设置，第一承载板和第二承载板能够紧密地贴合在一起，从而更好地对待剥离件进行挤压，保证待剥离件在整个激光剥离过程中一直稳定地被固定在容置槽内，待剥离件产生的气体无法使待剥离件的生长基板与暂存基板分离，从而避免断晶、芯片倾斜等不良的发生，保证了激光剥离效率。

可选地，磁吸件为多个，多个磁吸件沿第一承载板或第二承载板的周向间隔设置。通过上述设置，使得第一承载板和第二承载板之间的贴合更加均匀，进而使得待剥离件受到的挤压力更加均匀，防止受力不均对激光剥离产生不良影响，从而保证激光剥离效率。

可选地，第一承载板或第二承载板开设有固定槽，磁吸件容置在固定槽内。通过上述设置，使得磁吸件能够很好地固定在第一承载板或第二承载板上，保证二者之间的吸附力，从而待剥离件受到足够的挤压力，避免待剥离件的生长基板与暂存基板分离，从而避免断晶、芯片倾斜等不良的发生，保证激光剥离效率。

可选地，磁吸件为电磁体。选择电磁体作为磁吸件，通过改变电流大小即可调节第一承载板和第二承载板之间的吸附力大小，进而调节待剥离件受到的挤压力大小，从而根据需求选择合适的挤压力，保证待剥离件受到适当的挤压力，避免过大或过小，在避免待剥离件的生长基板与暂存基板分离的同时避免待剥离件受损，保证激光剥离的正常进行。