[实用新型]半导体元件

权利要求书

1.一种半导体元件，其特征在于，包括：

一衬底，包括一第一有源区、一第一隔离区、一第二有源区以及一第二隔离区沿着一第一方向连续排列；

一第一位线，位在所述第一有源区上，且与所述第一有源区直接接触；

一第二位线，位在所述第二隔离区上；

一绝缘层，位于所述第二位线与所述第二隔离区之间，以隔离开所述第二位线与所述第二隔离区；以及

一存储节点接触结构，位在所述第一位线和所述第二位线之间，并且与所述第二有源区的一顶面、所述第一隔离区的一侧壁，以及所述第二隔离区的一侧壁直接接触。

2.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述存储节点接触结构的底部包括一阶梯状轮廓。

3.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，还包括：

一第一间隙壁，位在所述第一位线的一侧壁上，并且电性隔离所述存储节点接触结构与所述第一位线；以及

一第二间隙壁，位在所述第二位线的一侧壁上，并且电性隔离所述存储节点接触结构与所述第二位线。

4.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，所述存储节点接触结构的一底角位于所述第一间隙壁上。

5.如权利要求3所述的半导体元件，其特征在于，所述存储节点接触结构的一部分位于所述第二间隙壁的正下方。

6.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述存储节点接触结构与所述绝缘层的一底面直接接触。

7.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述存储节点接触结构和所述绝缘层以及所述第二隔离区之间包括所述第二有源区的一残留部分。

8.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一有源区的一顶面低于所述第二有源区的所述顶面。

9.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述第一隔离区的一顶面低于所述第二隔离区的一顶面。

10.如权利要求1所述的半导体元件，其特征在于，所述存储节点接触结构包括：

一半导体层，与所述第二有源区的所述顶面、所述第一隔离区的所述侧壁，以及所述第二隔离区的所述侧壁直接接触；以及

一金属层，位于所述半导体层上。

11.如权利要求10所述的半导体元件，其特征在于，所述半导体层包括：

一下部，包括一外延半导体层，其中所述下部的顶面高于所述绝缘层的底面；以及

一上部，位于所述下部与所述金属层之间，并且包括一沉积半导体层。

12.一种半导体元件，其特征在于，包括：

一衬底，包括一有源区，位于两个隔离结构之间；

两个埋入式字线位在所述有源区中，将所述有源区区分成一个中间部以及两个端部；

一位线，位在所述中间部上；

一存储节点接触结构，位在所述端部上，其中所述存储节点接触结构包括：

一接触部，与所述端部的一顶面、所述埋入式字线的一侧壁和所述隔离结构的一侧壁直接接触；以及

一插塞部，位于所述接触部上，其中所述插塞部的宽度大于所述接触部的宽度。

13.如权利要求12所述的半导体元件，其特征在于，所述插塞部的一底角位于所述埋入式字线上。

14.如权利要求13所述的半导体元件，其特征在于，所述插塞部的另一底角位于所述隔离结构上。

15.如权利要求12所述的半导体元件，其特征在于，所述接触部与所述插塞部之间包括一阶梯状轮廓。