[实用新型]高温倍频晶体结构

权利要求书

1.一种高温倍频晶体结构，包括固定座，其特征在于：所述固定座上设置有隔热安装部，所述隔热安装部远离所述固定座的一侧设置有加热温度大于或等于150摄氏度的加热元件，所述加热元件远离所述隔热安装部的一侧设置有晶体组件，所述晶体组件上设置有热敏电阻。

2.如权利要求1所述的高温倍频晶体结构，其特征在于：所述隔热安装部包括由耐高温隔热材料制成的隔热层，所述耐高温隔热材料的可耐温度大于或等于200摄氏度。

3.如权利要求1所述的高温倍频晶体结构，其特征在于：所述隔热安装部包括加热底座和由耐高温隔热材料制成的隔热球，所述耐高温隔热材料的可耐温度大于或等于200摄氏度，所述加热元件安装于所述加热底座远离所述固定座的一侧，所述隔热球设置有多个且连接于所述加热底座和所述固定座之间。

4.如权利要求2或3所述的高温倍频晶体结构，其特征在于：所述耐高温隔热材料为耐高温玻璃、耐高温陶瓷、耐高温铁氟龙、耐高温聚苯硫醚、耐高温聚苯砜、耐高温聚醚醚酮、耐高温酚醛树脂或者耐高温聚酰亚胺。

5.如权利要求1所述的高温倍频晶体结构，其特征在于：所述晶体组件包括晶体底座、倍频晶体和晶体压块，所述晶体底座和所述加热元件相连接，所述倍频晶体安装于所述晶体底座上，所述晶体压块连接于所述晶体底座上以将所述晶体底座压紧。

6.如权利要求5所述的高温倍频晶体结构，其特征在于：所述晶体底座的底部设置有孔洞，所述热敏电阻安装于所述孔洞内。

7.如权利要求5所述的高温倍频晶体结构，其特征在于：所述热敏电阻与所述晶体底座之间、所述加热元件与所述晶体底座之间均采用高温导热胶固定，所述高温导热胶的可耐温度大于或等于160摄氏度且具有导热性能。

8.如权利要求1所述的高温倍频晶体结构，其特征在于：所述加热元件为电阻式加热片、电阻式加热棒或者电阻式加热丝。

9.如权利要求1所述的高温倍频晶体结构，其特征在于：所述热敏电阻为高温热敏电阻，所述高温热敏电阻的可耐温度大于或等于160摄氏度，当温度大于或等于150摄氏度时所述高温热敏电阻的电阻值大于或等于3000欧姆。

10.如权利要求5-9中任一项所述的高温倍频晶体结构，其特征在于：所述高温倍频晶体结构适用于非临界相位匹配倍频晶体，所述高温倍频晶体结构的长期工作温度大于或等于170摄氏度。