[实用新型]雷达结构

权利要求书

1.一种雷达结构，其特征在于，所述结构包括：介质基板，位于所述介质基板上的至少一个发射天线、至少一个功率放大器芯片、以及收发器芯片；

每一所述发射天线与每一所述功率放大器芯片对应电连接；

每一所述功率放大器芯片均与所述收发器芯片电连接，以使所述收发器芯片发出的射频信号经过所述功率放大器芯片放大后通过所述发射天线向外发射；

其中，所述介质基板上开设有至少一个第一凹槽，每一所述功率放大器芯片位于对应的所述第一凹槽内。

2.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述介质基板上还设置有通过蚀刻形成的与每个所述发射天线一一对应的至少一个第一馈线，每个所述第一馈线依次与对应的发射天线、该发射天线对应的所述功率放大器芯片、以及所述收发器芯片电连接；

在所述介质基板上还设置有与每个所述第一凹槽一一对应的至少一个第一导电组件，每个所述第一导电组件位于对应的所述第一凹槽之外，以使每个所述第一凹槽内的所述功率放大器芯片通过对应的所述第一导电组件与对应的所述第一馈线电连接，从而分别与对应的所述发射天线和所述收发器芯片电连接。

3.如权利要求2所述的结构，其特征在于，在所述介质基板上还设置有与每个所述第一凹槽一一对应的至少一个第二导电组件，每个所述第一导电组件位于对应的所述第一凹槽之外，通过所述第二导电组件将所述介质基板上的电源通路与所述功率放大器芯片的供电管脚电连接。

4.如权利要求3所述的结构，其特征在于，所述第一导电组件以及所述第二导电组件均是通过在所述介质基板上电金形成的金线。

5.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述结构还包括至少一个接收天线以及与所述至少一个接收天线一一对应的至少一个低噪声放大器芯片；

每一所述接收天线与对应的所述低噪声放大器芯片电连接；

每一所述低噪声放大器芯片均与所述收发器芯片电连接，以处理对应的所述接收天线接收到的信号并将处理后的信号传输至所述收发器芯片；

其中，所述介质基板上还开设有至少一个第二凹槽，每一所述低噪声放大器芯片位于对应的所述第二凹槽内。

6.如权利要求5所述的结构，其特征在于，所述介质基板上还设置有通过蚀刻形成的与每个所述接收天线一一对应的至少一个第二馈线，每个所述第二馈线依次与对应的接收天线、该接收天线对应的所述低噪声放大器芯片、以及所述收发器芯片电连接；

在所述介质基板上还设置有与每个所述第二凹槽一一对应的至少一个第三导电组件，每个所述第三导电组件位于对应的所述第二凹槽之外，以使每个所述第二凹槽内的所述低噪声放大器芯片通过对应的所述第三导电组件与对应的所述第二馈线电连接，从而分别与对应的所述接收天线和所述收发器芯片电连接。

7.如权利要求6所述的结构，其特征在于，在所述介质基板上还设置有与每个所述第二凹槽一一对应的至少一个第四导电组件，每个所述第四导电组件位于对应的所述第二凹槽之外，通过所述第四导电组件将所述介质基板上的电源通路与所述低噪声放大器芯片的供电管脚电连接。

8.如权利要求7所述的结构，其特征在于，所述第三导电组件以及所述第四导电组件均是通过在所述介质基板上电金形成的金线。

9.如权利要求5所述的结构，其特征在于，所述至少一个第一凹槽以及所述至少一个第二凹槽均通过在所述介质基板上镭射而形成。

10.如权利要求4或8所述的结构，其特征在于，所述金线的厚度大于2微米。

11.如权利要求1所述的结构，其特征在于，所述介质基板包含高频板材，所述第一凹槽位于所述高频板材内。

12.如权利要求5所述的结构，其特征在于，所述介质基板包含高频板材，所述第二凹槽位于所述高频板材内。