[实用新型]一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管

说明书

本实用新型属于晶体管技术领域，且公开了一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，包括晶体管主体，所述晶体管主体的一端固定有凸块，所述晶体管主体远离凸块的一端安装有晶体管发射极、晶体管基极和晶体管集电极，所述晶体管主体的上方设有封盖，所述晶体管发射极、晶体管基极和晶体管集电极均包括相连的安装部和极板部，本实用新型通过增设、通孔、橡胶球和连接杆，在安装晶体管发射极、晶体管基极和晶体管集电极时，只需将安装部嵌入至安装槽内即可，安装方便快捷，其次，使橡胶球穿过通孔，利用橡胶球挡住通孔的上端口，在不受外力情况下，能够有效保证安装部安装的稳定性，避免了安装部的滑脱。

技术领域

本实用新型属于晶体管技术领域，具体涉及一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管。

背景技术

晶体管是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能，晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，其中场效应晶体管是晶体管中的一种，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(107～1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。

在申请号为CN201820354347.X的中国专利中，公开了一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，该专利中描述到“在晶体管的侧面设置有多个半圆形凹槽，通过凹槽可对晶体管进行固定，在使用晶体管时也可以通过增大表面提高晶体管散热效果”。但是该晶体管的极板安装较为不便，且安装的稳定性较差，容易发生滑脱。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，以解决上述背景技术中提出的传统晶体管的极板安装较为不便以及安装的稳定性较差，易发生滑脱的问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，包括晶体管主体，所述晶体管主体的一端固定有凸块，所述晶体管主体远离凸块的一端安装有晶体管发射极、晶体管基极和晶体管集电极，所述晶体管主体的上方设有封盖，所述晶体管发射极、晶体管基极和晶体管集电极均包括相连的安装部和极板部，所述晶体管主体的外表壁开设有与安装部相适配的安装槽，所述安装部的外表壁开设有通孔，所述安装槽的内部底部连接有连接杆，所述连接杆的顶端连接有橡胶球。

优选地，所述晶体管主体的上表壁靠近四个拐角位置处开设有嵌槽，所述封盖朝向晶体管主体的一侧固定有与嵌槽相适配的嵌柱。

优选地，所述封盖的上表壁两侧对称开设有凹槽，所述晶体管主体的上表壁两侧靠近中间位置处开设有螺孔，所述凹槽的内部底部旋合连接有紧固螺丝，所述紧固螺丝旋合连接至螺孔的内部。

优选地，所述橡胶球的直径大于通孔的内径。

优选地，所述凸块的外表壁开设有固定孔，所述固定孔为圆形结构。

优选地，所述封盖的外表壁固定有凸起，所述凸起的外表壁开设有防滑纹。

与现有技术相比，本实用新型的有益效果是：

(1)本实用新型通过增设、通孔、橡胶球和连接杆，在安装晶体管发射极、晶体管基极和晶体管集电极时，只需将安装部嵌入至安装槽内即可，安装方便快捷，其次，使橡胶球穿过通孔，利用橡胶球挡住通孔的上端口，在不受外力情况下，能够有效保证安装部安装的稳定性，避免了安装部的滑脱。

(2)本实用新型通过增设嵌槽和嵌柱，在安装封盖时，可先将嵌柱嵌入至嵌槽内，能够有效提高封盖安装的准确度，避免发生歪斜，之后再将紧固螺丝旋进螺孔内部进行限位，能够有效保证封盖安装的稳定性。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图；

图2为本实用新型的外观图；