[实用新型]一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管

权利要求书

1.一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，其特征在于：包括晶体管主体(1)，所述晶体管主体(1)的一端固定有凸块(2)，所述晶体管主体(1)远离凸块(2)的一端安装有晶体管发射极(5)、晶体管基极(6)和晶体管集电极(7)，所述晶体管主体(1)的上方设有封盖(10)，所述晶体管发射极(5)、晶体管基极(6)和晶体管集电极(7)均包括相连的安装部(13)和极板部(14)，所述晶体管主体(1)的外表壁开设有与安装部(13)相适配的安装槽(4)，所述安装部(13)的外表壁开设有通孔(15)，所述安装槽(4)的内部底部连接有连接杆(18)，所述连接杆(18)的顶端连接有橡胶球(17)。

2.根据权利要求1所述的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，其特征在于：所述晶体管主体(1)的上表壁靠近四个拐角位置处开设有嵌槽(8)，所述封盖(10)朝向晶体管主体(1)的一侧固定有与嵌槽(8)相适配的嵌柱(16)。

3.根据权利要求2所述的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，其特征在于：所述封盖(10)的上表壁两侧对称开设有凹槽(11)，所述晶体管主体(1)的上表壁两侧靠近中间位置处开设有螺孔(9)，所述凹槽(11)的内部底部旋合连接有紧固螺丝(12)，所述紧固螺丝(12)旋合连接至螺孔(9)的内部。

4.根据权利要求3所述的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，其特征在于：所述橡胶球(17)的直径大于通孔(15)的内径。

5.根据权利要求4所述的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，其特征在于：所述凸块(2)的外表壁开设有固定孔(3)，所述固定孔(3)为圆形结构。

6.根据权利要求5所述的一种低能耗型碳化硅半导体场效应晶体管，其特征在于：所述封盖(10)的外表壁固定有凸起(19)，所述凸起(19)的外表壁开设有防滑纹。