[实用新型]IGBT模块及电器设备有效
| 申请号： | 202220266946.2 | 申请日： | 2022-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN216793687U | 公开（公告）日： | 2022-06-21 |
| 发明（设计）人： | 项澹颐 | 申请（专利权）人： | 富士电机（中国）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/18 | 分类号： | H01L25/18;H02M7/00;H02M7/483 |
| 代理公司： | 上海立群专利代理事务所(普通合伙) 31291 | 代理人： | 杨楷;毛立群 |
| 地址： | 200062 上海市普陀*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | igbt 模块 电器设备 | ||
1.一种IGBT模块，其特征在于，包括一体式的外壳和封装于所述外壳内部的IGBT模块电路，所述IGBT模块电路包括：4个IGBT单元和2个钳位二极管，每个所述IGBT单元包括IGBT芯片和与所述IGBT芯片并联的续流二极管。
2.如权利要求1所述的IGBT模块，其特征在于，所述IGBT模块电路的正极性端、第一IGBT芯片、第二IGBT芯片、第三IGBT芯片、第四IGBT芯片、负极性端依次串联，前一个所述IGBT芯片的发射极连接后一个所述IGBT芯片的集电极。
3.如权利要求2所述的IGBT模块，其特征在于，第一钳位二极管的正极连接所述IGBT模块电路的中性端，负极连接所述第一IGBT芯片的发射极和所述第二IGBT芯片的集电极。
4.如权利要求3所述IGBT模块，其特征在于，第二钳位二极管的正极连接所述第三IGBT芯片的发射极和所述第四IGBT芯片的集电极，负极IGBT模块电路的中性端。
5.如权利要求3所述的IGBT模块，其特征在于，还包括：
第一校正端，连接所述第一IGBT芯片的发射极和所述第二IGBT芯片的集电极；
第二校正端，连接所述第三IGBT芯片的发射极和所述第四IGBT芯片的集电极。
6.一种电器设备，其特征在于，包括IGBT模块，所述IGBT模块包括一体式的外壳和封装于所述外壳内部的IGBT模块电路，所述IGBT模块电路包括：4个IGBT单元和2个钳位二极管，每个所述IGBT单元包括IGBT芯片和与所述IGBT芯片并联的续流二极管。
7.如权利要求6所述的电器设备，其特征在于，包括多个并联的所述IGBT模块。
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