[实用新型]托盘结构及等离子体刻蚀装置

说明书

本实用新型涉及一种托盘结构及等离子体刻蚀装置。托盘结构包括：托盘本体，托盘本体的上表面开设有多个间隔设置的放置槽，用于放置待处理件，托盘本体的下表面开设有预混合槽，放置槽内设置有气体扩散孔，气体扩散孔用于连通放置槽和预混合槽，以将冷却气体由预混合槽引导至放置槽，其中，托盘本体的上表面和托盘本体的下表面相对设置。本实用新型解决了现有技术中制程时托盘的温度均一性较差的问题。

技术领域

本实用新型涉及等离子体刻蚀技术领域，尤其涉及一种托盘结构及等离子体刻蚀装置。

背景技术

在目前LED(发光二极管)、半导体等中的等离子体刻蚀技术领域，特别在干法蚀刻制造技术领域中，通常使用一种晶圆托盘作为承载晶圆的载体，以达到温度控制、提高制造效率、传送晶圆的目的。在晶圆托盘本体上会有多个晶圆放置平台，需要进行工艺制作的晶圆通常会放在晶圆放置平台上，然后放入等离子体腔室中进行工艺处理。

在工艺过程中，等离子体中带电离子会对晶圆表面进行轰击从而造成温度升高，此时通常会利用冷却气体例如氦气冷却晶圆。但是，下电极上的出气孔不一定正对托盘的气体扩散孔，导致托盘的温度均一性较差，进而影响了晶圆的温度均一性。

因此，如何提高制程时托盘的温度均一性是亟需解决的问题。

实用新型内容

鉴于上述现有技术的不足，本申请的目的在于提供一种托盘结构及等离子体刻蚀装置，旨在解决现有技术中制程时托盘的温度均一性较差的问题。

一种托盘结构，包括：托盘本体，托盘本体的上表面开设有多个间隔设置的放置槽，用于放置待处理件，托盘本体的下表面开设有预混合槽，放置槽内设置有气体扩散孔，气体扩散孔用于连通放置槽和预混合槽，以将冷却气体由预混合槽引导至放置槽，其中，托盘本体的上表面和托盘本体的下表面相对设置。

上述通过在托盘本体的下表面开设预混合槽，冷却气体从下电极的出气孔先进入预混合槽进行预混合，从而更均匀地通过气体扩散孔进入放置槽内，对放置在放置槽内的待处理件进行冷却降温，使得气体扩散孔无需与下电极的出气孔对准，大大提高了托盘本体的温度均一性，解决了现有技术中制程时托盘的温度均一性较差的问题，同时还提高了对待处理件的冷却降温效果，保证处理后的待处理件具有良好的良率，同时提高刻蚀效率。

可选地，气体扩散孔相对于托盘本体的表面倾斜设置。通过上述设置，倾斜的气体扩散孔能够对冷却气体起到缓冲的作用，从而避免冷却气体从预混合槽直吹进入放置槽，使得冷却气体能够更均匀地进入放置槽，从而提高托盘本体的温度均一性，进而保证待处理件表面的温度均一性，保证处理后的待处理件具有良好的良率。

可选地，预混合槽的深度小于等于1.5mm。通过上述设置，将预混合槽的深度限制在一定范围内，既不会影响托盘本体的整体强度，保证托盘本体的使用寿命，同时能够保证预混合槽对冷却气体的预混合效果，使得冷却气体能够均匀地从预混合槽进入放置槽内，从而保证托盘本体的温度均一性，进而保证待处理件表面的温度均一性，保证处理后的待处理件具有良好的良率。

可选地，托盘结构还包括密封件，密封件设置在放置槽的外周缘，用于密封放置槽。通过设置密封件，待处理件放置在放置槽内后与密封件抵接，从而将放置槽密封住，防止冷却气体从放置槽的槽口泄漏进等离子体工艺腔中，进而避免等离子体刻蚀装置宕机，影响生产效率。

可选地，托盘结构还包括限位件，限位件为多个，多个限位件间隔设置在托盘本体的上表面。通过设置限位件，使得等离子体刻蚀装置的防护罩能够稳固地固定在托盘本体上，避免发生位移影响对待处理件的处理。

可选地，一个放置槽内设置有多个气体扩散孔，多个气体扩散孔间隔设置。通过上述设置，使得放置槽内的各个位置均能够直接地通入冷却气体而无需其他位置的扩散，保证每个放置槽内的温度均一性，进而保证放置槽内的待处理件具有良好的均一性，保证处理后的待处理件具有良好的良率。