[实用新型]托盘结构及等离子体刻蚀装置

权利要求书

1.一种托盘结构，其特征在于，包括：

托盘本体(10)，所述托盘本体(10)的上表面开设有多个间隔设置的放置槽(11)，用于放置待处理件，所述托盘本体(10)的下表面开设有预混合槽(12)，所述放置槽(11)内设置有气体扩散孔(13)，所述气体扩散孔(13)用于连通所述放置槽(11)和所述预混合槽(12)，以将冷却气体由所述预混合槽(12)引导至所述放置槽(11)，其中，所述托盘本体(10)的上表面和所述托盘本体(10)的下表面相对设置。

2.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，所述气体扩散孔(13)相对于所述托盘本体(10)的表面倾斜设置。

3.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，所述预混合槽(12)的深度小于等于1.5mm。

4.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，所述托盘结构还包括密封件(20)，所述密封件(20)设置在所述放置槽(11)的外周缘，用于密封所述放置槽(11)。

5.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，所述托盘结构还包括限位件(30)，所述限位件(30)为多个，多个所述限位件(30)间隔设置在所述托盘本体(10)的上表面。

6.如权利要求1所述的托盘结构，其特征在于，一个所述放置槽(11)内设置有多个所述气体扩散孔(13)，多个所述气体扩散孔(13)间隔设置。

7.如权利要求1至6中任一项所述的托盘结构，其特征在于，所述托盘本体(10)的表面粗糙度小于等于2.5μm。

8.一种等离子体刻蚀装置，其特征在于，包括：

权利要求1至7中任一项所述的托盘结构；

防护罩(40)，所述防护罩(40)设置在所述托盘结构的所述托盘本体(10)的上表面；

下电极(50)，所述托盘本体(10)的下表面与所述下电极(50)抵接，所述下电极(50)具有出气孔(51)，冷却气体从所述出气孔(51)进入所述托盘本体(10)的所述预混合槽(12)内。

9.如权利要求8所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述防护罩(40)具有多个避让孔(41)，多个避让孔(41)与所述托盘本体(10)的多个所述放置槽(11)一一对应设置。

10.如权利要求9所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述防护罩(40)还包括定位片(42)，所述定位片(42)为多个，多个所述定位片(42)沿所述避让孔(41)的周缘间隔设置且朝向所述避让孔(41)的中心延伸。

11.如权利要求8所述的等离子体刻蚀装置，其特征在于，所述防护罩(40)开设有限位孔(43)，所述限位孔(43)为多个，多个所述限位孔(43)与所述托盘本体(10)的多个限位件(30)一一对应设置。