[实用新型]光电封装结构

说明书

本申请的实施例提供一种光电封装结构，包含：光传导元件；光子集成电路，具有有源面和无源面，光电传感器位于有源面上，光传导元件设置在无源面上，并且光传导元件通过位于光子集成电路中的贯穿孔与光电传感器相互面对。本实用新型的目的在于提供一种光电封装结构，以至少解决光消散的问题。

技术领域

本实用新型的实施例涉及光电封装结构。

背景技术

在现有的硅光子(SiPh)封装结构中，光从光纤阵列单元(fiber array unite，FAU)往光子集成电路(photonic IC，PIC)传播要通过反射镜改变行进方向才能进入PIC的光电传感器(photo sensor)，光耦合效率会受到反射镜的折射以及光反射角度偏差的影响，使光进到PIC的能量会衰减。

实用新型内容

针对相关技术中存在的问题，本实用新型的目的在于提供一种光电封装结构，以至少解决光消散的问题。

本申请的实施例提供一种光电封装结构，包含：光传导元件；光子集成电路，具有有源面和无源面，光电传感器位于有源面上，光传导元件设置在无源面上，并且光传导元件通过位于光子集成电路中的贯穿孔与光电传感器相互面对。

在一些实施例中，光传导元件是光纤阵列单元(FAU)。

在一些实施例中，贯穿孔的横向尺寸沿从无源面到光电传感器的方向逐渐减小。

在一些实施例中，光子集成电路的材料包括硅。

在一些实施例中，贯穿孔的侧壁可以反射光。

在一些实施例中，光子集成电路的有源面上包括位于贯穿孔中的光栅，光栅至光电传感器的距离小于光栅至无源面的距离。

在一些实施例中，由光传导元件发出的光可以直接到达光栅。

在一些实施例中，还包括：线路层，光子集成电路位于线路层上方并且通过第一连接件与线路层电连接，光电传感器位于线路层和光子集成电路之间。

在一些实施例中，还包括：电子集成电路，通过第二连接件连接在光子集成电路的有源面上，电子集成电路与光电传感器并排设置，电子集成电路位于光子集成电路和线路层之间，电子集成电路通过光子集成电路与线路层电连接。

在一些实施例中，还包括：第一填充层，位于线路层和光子集成电路之间，第一填充层包覆第一连接件和第二连接件。

在一些实施例中，还包括：第二填充层，位于电子集成电路和光子集成电路之间，第二填充层包覆第二连接件；第一填充层，位于线路层与光子集成电路、电子集成电路之间，第一填充层包覆第二填充层和第一连接件。

在一些实施例中，还包括：电子集成电路，位于线路层上，电子集成电路通过第三连接件电连接线路层并且通过线路层电连接光子集成电路。

在一些实施例中，还包括：第一填充层，位于线路层和光子集成电路、电子集成电路之间，第一填充层包覆第一连接件和第二连接件。

在一些实施例中，第一填充层的侧壁与线路层的侧壁共面。

在一些实施例中，还包括：第三填充层，包覆光子集成电路的侧壁和第一填充层的未被光子集成电路覆盖的上表面。

在一些实施例中，第一填充层还包覆光子集成电路的侧壁。

在一些实施例中，还包括：第四填充层，包封光传导元件、光子集成电路和第一填充层。

在一些实施例中，光传导元件通过粘合层粘接在光子集成电路的无源面上。

在一些实施例中，光电传感器位于光传导元件的直接下方。

在一些实施例中，贯穿孔的两端分别由光传导元件和光电传感器完全覆盖。