[实用新型]一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件

说明书

本实用新型公开了一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，属于半导体制造领域，用于解决在MOSFET器件的外部并联肖特基二极管的方式导致集成了MOSFET器件的芯片尺寸增大、制作成本增多的技术问题。器件包括：外延层，以及外延层的表面排布的复合元胞；复合元胞包括阱区、源极区域以及结势垒肖特基区域；结势垒肖特基区域包括多层第一高掺杂P型区域，以及每层第一高掺杂P型区域之间形成的肖特基区域；阱区与相邻的第一高掺杂P型区域之间形成结型场效应管JFET区域；每个高掺杂P型区域被四个JFET区域环绕；肖特基区域以及JFET区域的离子掺杂浓度大于或等于外延层的离子掺杂浓度，JFET区域的宽度以及每层第一高掺杂P型区域的间距均在相同的预设区间内取值。

技术领域

本申请涉及半导体制造领域，尤其涉及一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件。

背景技术

碳化硅晶体中存在基晶面位错，在一定条件下，基晶面位错可以转化为堆垛层错。当碳化硅功率MOSFET器件中的体二极管导通时，在双极性运行下，电子-空穴的复合会使堆垛层错继续扩展，发生双极性退化。这一现象使得碳化硅功率MOSFET器件的导通压电阻增大，阻断模式下的漏电流增大，碳化硅功率MOSFET器件中的体二极管的导通压降增大，从而降低碳化硅功率MOSFET器件的可靠性。

在实际的电路应用中，为了避免双极性退化，一般使用外部反向并联肖特基二极管来抑制功率MOSFET器件中的体二极管。然而，这种方法会增大芯片的尺寸，且肖特基二极管的单价较高，因此这样产品结构会提高功率MOSFET器件的成本。

实用新型内容

本申请实施例提供了一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，用于解决如下技术问题：在MOSFET器件的外部并联肖特基二极管的方式导致集成了MOSFET器件的芯片尺寸增大、制作成本增多。

本申请实施例采用下述技术方案：

本申请实施例提供了一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，MOSFET器件包括：外延层，以及所述外延层的表面排布的复合元胞；其中，所述外延层为N型半导体；所述复合元胞包括阱区、源极区域以及结势垒肖特基区域；所述结势垒肖特基区域包括多层第一高掺杂P型区域，以及每层所述第一高掺杂P型区域之间形成的肖特基区域；所述阱区为P型半导体，所述源极区域为N型半导体；所述MOSFET器件中的所述源极区域与所述阱区为互联结构；所述源极区域位于所述阱区内部，且所述源极区域的离子注入深度小于所述阱区的离子注入深度；所述阱区与所述外延层形成第一PN结，所述阱区与所述源极区域形成第二PN结，所述第一高掺杂P型区域与所述外延层形成第三PN结；所述阱区与相邻的第一高掺杂P型区域之间形成结型场效应管JFET区域；所述复合元胞还包括第二高掺杂P型区域，每个第二高掺杂P型区域被四个JFET区域环绕；所述第二高掺杂P型区域的离子掺杂浓度与所述第一高掺杂P型区域的离子掺杂浓度相同；所述肖特基区域以及所述JFET区域的离子掺杂浓度大于或等于所述外延层的离子掺杂浓度，所述JFET区域的宽度以及每层第一高掺杂P型区域的间距均在相同的预设区间内取值。

在一种可行的实施方式中，所述JFET区域、所述结势垒肖特基区域以及所述第二高掺杂P型区域的形状均为正多边形或圆形。

在一种可行的实施方式中，所述MOSFET器件还包括第一接触金属；所述第一接触金属覆盖于所述第二高掺杂P型区域的表面，与所述第二高掺杂P型区域形成欧姆接触；所述第一接触金属的一部分与所述源极区域相接触，以抑制所述MOSFET器件内部的寄生双极晶体管效应。

在一种可行的实施方式中，所述MOSFET器件还包括第二接触金属；所述第二接触金属覆盖于所述结势垒肖特基区域的表面，与所述结势垒肖特基区域中的若干个肖特基区域形成肖特基接触；所述第一接触金属与所述第二接触金属之间保持预设距离，以便于通过不同的工艺，将所述第一接触金属和所述第二接触金属分别设计为欧姆接触和肖特基接触。