[实用新型]一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件

权利要求书

1.一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件包括：外延层，以及所述外延层的表面排布的复合元胞；其中，所述外延层为N型半导体；

所述复合元胞包括阱区、源极区域以及结势垒肖特基区域；所述结势垒肖特基区域包括多层第一高掺杂P型区域，以及每层所述第一高掺杂P型区域之间形成的肖特基区域；所述阱区为P型半导体，所述源极区域为N型半导体；

所述MOSFET器件中的所述源极区域与所述阱区为互联结构；所述源极区域位于所述阱区内部，且所述源极区域的离子注入深度小于所述阱区的离子注入深度；

所述阱区与所述外延层形成第一PN结，所述阱区与所述源极区域形成第二PN结，所述第一高掺杂P型区域与所述外延层形成第三PN结；

所述阱区与相邻的第一高掺杂P型区域之间形成结型场效应管JFET区域；

所述复合元胞还包括第二高掺杂P型区域，每个第二高掺杂P型区域被四个JFET区域环绕；所述第二高掺杂P型区域的离子掺杂浓度与所述第一高掺杂P型区域的离子掺杂浓度相同；

所述肖特基区域以及所述JFET区域的离子掺杂浓度大于或等于所述外延层的离子掺杂浓度，所述JFET区域的宽度以及每层第一高掺杂P型区域的间距均在相同的预设区间内取值。

2.根据权利要求1所述的一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，其特征在于，

所述JFET区域、所述结势垒肖特基区域以及所述第二高掺杂P型区域的形状均为正多边形或圆形。

3.根据权利要求1所述的一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件还包括第一接触金属；

所述第一接触金属覆盖于所述第二高掺杂P型区域的表面，与所述第二高掺杂P型区域形成欧姆接触；

所述第一接触金属的一部分与所述源极区域相接触，以抑制所述MOSFET器件内部的寄生双极晶体管效应。

4.根据权利要求3所述的一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件还包括第二接触金属；

所述第二接触金属覆盖于所述结势垒肖特基区域的表面，与所述结势垒肖特基区域中的若干个肖特基区域形成肖特基接触；

所述第一接触金属与所述第二接触金属之间保持预设距离，以便于通过不同的工艺，将所述第一接触金属和所述第二接触金属分别设计为欧姆接触和肖特基接触。

5.根据权利要求1所述的一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件还包括绝缘栅极氧化层；

所述绝缘栅极氧化层覆盖在所述元胞的源极区域、阱区以及JFET区域上；

所述绝缘栅极氧化层覆盖住所述JFET区域的宽度大于或等于0.1微米，且小于所述JFET区域的宽度。

6.根据权利要求5所述的一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，其特征在于，所述栅极绝缘氧化层上覆盖有栅极导电多晶硅。

7.根据权利要求6所述的一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，其特征在于，所述绝缘栅极氧化层以及所述栅极导电多晶硅的外面包裹有绝缘介质层。

8.根据权利要求7所述的一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，其特征在于，所述绝缘介质层、第一接触金属以及第二接触金属上，覆盖有源极电极；

所述源极电极与所述第一接触金属以及所述第二接触金属相接触；

所述绝缘介质层将所述绝缘栅极氧化层以及所述栅极导电多晶硅，与所述源极电极隔开。

9.根据权利要求1所述的一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，其特征在于，所述MOSFET器件还包括：碳化硅衬底，所述碳化硅衬底位于所述外延层背离所述元胞侧的表面；所述碳化硅衬底为N型半导体；

所述碳化硅衬底中的离子掺杂浓度高于所述外延层中的离子掺杂浓度；

所述碳化硅衬底背离所述外延层的一面覆盖有所述MOSFET器件的漏极电极。

10.根据权利要求1所述的一种集成结势垒肖特基的MOSFET器件，其特征在于，所述预设区间为[0.8μm～5μm]。