[实用新型]印制电路板有效
| 申请号: | 202220017111.3 | 申请日: | 2022-01-05 |
| 公开(公告)号: | CN217116512U | 公开(公告)日: | 2022-08-02 |
| 发明(设计)人: | 王成谷 | 申请(专利权)人: | 无锡深南电路有限公司 |
| 主分类号: | H05K1/14 | 分类号: | H05K1/14 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 刘桂兰 |
| 地址: | 214142 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 印制 电路板 | ||
本实用新型公开了印制电路板,包括:双面导电板,双面导电板包括第一介质层以及贴合设置在第一介质层相对两侧的第一导电层;胶层,胶层设置在第一导电层远离第一介质层的一侧;单面导电板,单面导电板包括第二介质层以及贴合设置在部分第二介质层一侧的第二导电层;其中,第二介质层贴合设置在胶层远离第一导电层的一侧,以通过胶层固定第二介质层与第一导电层。通过上述结构,本实用新型能够减薄印制电路板的厚度,实现印制电路板的小型化与轻便化。
技术领域
本实用新型应用于印制电路板。
背景技术
PCB(Printed Circuit Board),又被称为印刷线路板或印制电路板,是应用广泛的重要电子部件,是电子元器件的支撑体,同样也是电子元器件电气连接的载体。
随着各种应用领域电子产品的装配空间越来越轻薄和小型化,对刚挠结合电路板提出了越来越苛刻的厚度要求和尺寸要求。
而目前的刚挠结合电路板往往通过CVL(刚挠结合电路板或柔性电路板用于软板层绝缘及线路保护的覆盖层/膜)制备刚挠结合电路板的挠性区域,但此种方法所制备的刚挠结合电路板的厚度较大,不利于小型化与轻便化。
实用新型内容
本实用新型提供印制电路板,以解决现有技术中存在的电路板的厚度较大,不利于小型化与轻便化的问题。
为解决上述技术问题,本实用新型提供了一种印制电路板,包括:双面导电板,双面导电板包括第一介质层以及贴合设置在第一介质层相对两侧的第一导电层;胶层,胶层设置在第一导电层远离第一介质层的一侧;单面导电板,单面导电板包括第二介质层以及贴合设置在部分第二介质层一侧的第二导电层;其中,第二介质层贴合设置在胶层远离第一导电层的一侧,以通过胶层固定第二介质层与第一导电层。
其中,胶层与第一导电层远离第一介质层的一侧贴合设置。
其中,印制电路板还包括至少一层第三介质层以及至少一层第三导电层;至少一层第三介质层与至少一层第三导电层依次层叠且贴合设置在胶层与双面导电板之间;其中,靠近第一导电层的第三介质层的一侧与第一导电层贴合设置,远离第一导电层的第三导电层与胶层贴合设置。
其中,印制电路板还包括依次层叠且贴合设置的至少一层第四介质层以及至少一层第四导电层;依次层叠且贴合设置的至少一层第四介质层以及至少一层第四导电层设置于单面导电板远离双面导电板的一侧,且靠近单面导电板一侧的第四介质层与单面导电板的第二导电层贴合设置。
其中,依次层叠且贴合设置的至少一层第四介质层以及至少一层第四导电层与第二导电层在第一平面上的投影完全重叠。
其中,至少一层第四导电层的宽度沿着双面导电板朝向至少一层第四导电层的方向呈宽度逐渐缩小的阶梯式排列。
其中,印制电路板上设置有至少一个凹槽;至少一个凹槽至少贯穿第二导电层,并抵达第二介质层,以裸露部分第二介质层。
其中,印制电路板还包括至少一个导电孔;至少一个导电孔用于导通印制电路板的各导电层。
其中,印制电路板包括至少两层单面导电板;至少两层单面导电板分别设置于双面导电板的两侧。
其中,印制电路板还包括阻焊层;阻焊层设置于印制电路板的相对两侧,且与第二介质层间隔设置。
本实用新型的有益效果是:区别于现有技术的情况,本实用新型的印制电路板通过胶层在双面导电板的第一导电层远离第一介质层的一侧固定设置单面导电板,从而利用单面导电板的第二介质层形成印制电路板的挠性区域,并利用与第二介质层贴合设置的第二导电层直接实现印制电路板的导电层增层,从而省去压合半固化片,进而减薄印制电路板的厚度,实现印制电路板的小型化与轻便化。
附图说明
图1是本实用新型印制电路板一实施例的结构示意图;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于无锡深南电路有限公司,未经无锡深南电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202220017111.3/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种聚烯烃催化剂进料系统
- 下一篇:碳化硅MOSFET器件





