[发明专利]一种石英晶片抛光装置及抛光方法

说明书

本发明属于石英晶片抛光技术领域，具体的说是一种石英晶片抛光装置及抛光方法，包括双面抛光机、储液箱、水泵、供液管、储气罐、抽气泵、一号气管和空心立杆；启动抽气泵，将储气罐内部的氩气通过一号气管和空心立杆注入储液箱的内部，将储液箱内部的空气排尽，将配置好的抛光液灌入储液箱的内部，氩气将空气与抛光液分隔，阻挡空气中的灰尘等固定杂质进入抛光液中；同时，氩气由空心立杆进入储液箱内部的抛光液时，氩气向四周飞散，喷射的氩气，使得抛光液在储液箱的内部运动，使得抛光液中的固体磨料难以静止，从而降低了抛光液中的固体磨料聚集成大颗粒的固体磨料，继而降低了造成石英晶片表面的划伤的概率。

技术领域

本发明属于石英晶片抛光技术领域，具体的说是一种石英晶片抛光装置及抛光方法。

背景技术

随着电子产业的快速发展，作为电子产业核心的石英晶片的需求日益增大，石英晶片在生产制作时，需要利用抛光装置对石英晶片的表面进行抛光打磨，提高石英晶片的平整度，以便于后续的光刻工艺；石英晶片的抛光方法主要分为机械抛光法、化学抛光法和化学机械抛光法；现有的抛光方式主要为化学机械抛光法。

化学机械抛光技术是利用抛光液对硅片表面的化学腐蚀和机械研磨同时作用，兼有化学抛光和机械抛光两种抛光法的优点，是现代半导体工业中普遍采用的抛光方法；化学机械抛光过程是一个机械作用和化学作用相平衡的过程，石英晶片抛光工艺中，将石英晶片固定在下工作盘上，通过上下工作盘之间的相对转动，同时抛光液与石英晶片表面接触发生腐蚀反应，使得石英晶片表面被腐蚀软化；并且抛光液中大量的固体磨料帮助机械打磨，去除石英晶片被腐蚀的表面，实现石英晶片的抛光。

由于抛光液中的固体磨料的直径在纳米级，抛光液中存在任何其他固定颗粒杂质都可能会造成石英晶片的表面划伤，因此抛光液的制备均在无菌环境中进行；但是，抛光液中的纳米级固体磨料的比表面积大，自身吸附力强，造成抛光液中的固体磨料随着时间的推移也会发生沉降和聚集，形成较大的固体颗粒，进而在抛光的过程中造成石英晶片表面的划伤。

为此，本发明提供一种石英晶片抛光装置及抛光方法。

发明内容

为了弥补现有技术的不足，解决背景技术中所提出的至少一个技术问题。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明所述的一种石英晶片抛光装置，包括双面抛光机和供液结构；所述双面抛光机的背面设置有供液结构；所述供液结构包括储液箱、水泵、供液管、储气罐、抽气泵、一号气管和空心立杆；所述双面抛光机的背面设置有储液箱，所述储液箱的内部灌装有抛光液，所述储液箱的顶面安装有水泵，所述水泵的进水端连通储液箱的底部，所述水泵的出水端连通有供液管，所述供液管的顶端连通双面抛光机的上工作盘，所述储液箱的一侧设置有储气罐，所述储气罐通过气瓶灌装有氩气，所述储气罐的一侧固接有抽气泵，所述抽气泵的进气端连通储气罐的内部，所述抽气泵的出气端连通有一号气管，所述储液箱的顶面固接有空心立杆，所述空心立杆的底端伸入储液箱的内部，且空心立杆的外圈均匀开设有多个气槽，所述空心立杆的顶端与一号气管的端头连通，所述一号气管的中部设置有单向阀，且单向阀的方向指向空心立杆；抛光液中的纳米级固体磨料的比表面积大，自身吸附力强，造成抛光液中的固体磨料随着时间的推移也会发生沉降和聚集，形成较大的固体颗粒，进而在抛光的过程中造成石英晶片表面的划伤；基于上述问题，本发明实施例弥补现有技术的不足；将装有氩气的气瓶连接储气罐，为储气罐的内部灌入氩气，启动抽气泵，将储气罐内部的氩气通过一号气管和空心立杆注入储液箱的内部，将储液箱内部的空气排尽，由于氩气的密度大于空气的密度，使得氩气沉淀在储液箱的底部，当储液箱注液口有氩气排出时，则表明储液箱的氩气充满；将配置好的抛光液灌入储液箱的内部，抛光液在储液箱的底部，氩气将空气与抛光液分隔，阻挡空气中的灰尘等固定杂质进入抛光液中；同时，氩气由空心立杆进入储液箱内部的抛光液时，氩气向四周飞散，氩气在抛光液中向上浮起时，产生破碎，使得抛光液产生振动，同时，喷射的氩气，使得抛光液在储液箱的内部运动，使得抛光液中的固体磨料难以静止，从而降低了抛光液中的固体磨料聚集成大颗粒的固体磨料，继而降低了造成石英晶片表面的划伤的概率。