[发明专利]工艺库的信息编辑方法和装置

说明书

本发明实施例公开了一种工艺库的信息编辑方法和装置。该工艺库的信息编辑方法包括：获取lib文件中文件开头中工艺参数的描述，并从PDK路径中的指定文件获取网格单位；将工艺参数的描述，以及网格单位填入PDK路径和标准单元库路径；将确定的金属层数和厚度填写至PDK路径中的layermap路径；根据layermap路径填写PDK路径中的规则文件；通过lib脚本提取各个工艺角下的信息，并填写信息。本发明提供的方案能够实现提高敏捷开发的工作效率并降低可能的错误率的技术效果。

技术领域

本发明涉及芯片技术应用领域，尤其涉及一种工艺库的信息编辑方法和装置。

背景技术

传统后端设计流程中的解释执行的脚本语言(Tool Command Language，简称TCL)脚本基本都混合了三方面的信息：一是电子设计自动化(Electronic Design Automation，简称EDA)工具命令以及特有的命令选项；二是金属层次，间距等工艺库相关的信息；三是设计约束，布局约束等设计信息。在不同项目中，即使是同一个设计，改变了工具或工艺，Tcl脚本的复用率极低，因此每个项目的超大规模集成电路(Very Large Scale IntegratedCircuit，简称VLSI)流程都需要重新构造。

以数字后端敏捷开发平台Hammer为例，将以上三部分独立开来，EDA工具相关以及工艺库相关信息可以有极高的复用率，一旦完成后变不再需要修改，仅需将更多的工作重心放在设计，布局，性能等约束上。因此对工艺库信息插件有高准确性的要求，手动从大量标准单元库文件和工艺设计包(Process Design Kits，简称PDK)库文件中抓取相关信息并填写，即繁琐又容易出错。

针对上述由于现有技术中工艺库插件编写难度高，需要大量手动编写工作，导致工艺库插件的工作效率低的问题，目前尚未提出有效的解决方案。

发明内容

为解决上述技术问题，本发明实施例期望提供一种工艺库的信息编辑方法和装置，以至少解决由于现有技术中工艺库插件编写难度高，需要大量手动编写工作，导致工艺库插件的工作效率低的问题。

本发明的技术方案是这样实现的：

第一方面，本发明实施例提供一种工艺库的信息编辑方法，包括：获取lib文件中文件开头中工艺参数的描述，并从PDK路径中的指定文件获取网格单位；将工艺参数的描述，以及网格单位填入PDK路径和标准单元库路径；将确定的金属层数和厚度填写至PDK路径中的layermap路径；根据layermap路径填写PDK路径中的规则文件；通过lib脚本提取各个工艺角下的信息，并填写信息。

可选的，通过lib脚本提取各个工艺角下的信息，并填写信息包括：通过lib脚本提取各个工艺角下的lib信息，并填写lib信息；通过人工填写指令填写层堆叠信息，其中，层堆叠信息包括：最小宽度、间距、偏移和power_strap；通过lib脚本提取到的位信息和特殊单元信息，并填写位信息和特殊单元信息，其中，位信息位于标准单元库的lef文件。

可选的，通过lib脚本提取各个工艺角下的信息包括：确定目标工艺库的PDK路径和标准单元库路径；确定lib文件根目录，选择所需的延时模型；遍历每个VT类型下的所有lib文件，根据VT类型和工艺角信息建立分组；根据每个分组的VT类型，获取对应的目录下指定的文件的路径；通过lib文件的文件名，提取晶体管模型、驱动电压和温度；根据特殊单元类型列表提取lib文件中所有特殊单元的名称和lef文件中的位信息。

可选的，该方法还包括：将SRAM对应的文件依据SRAM的尺寸进行整理，得到依据SRAM的尺寸进行分类的文件；依据文件类型对文件进行分类，得到分类后的文件。

进一步地，可选的，SRAM的命名规则为SRAM{ports}RW{depth}x{width}，其中，ports是指SRAM为单口或双口，depth为SRAM的深度，width为SRAM的数据位宽。