[发明专利]工艺库的信息编辑方法和装置

权利要求书

1.一种工艺库的信息编辑方法，其特征在于，包括：

获取lib文件中文件开头中工艺参数的描述，并从PDK路径中的指定文件获取网格单位；

将所述工艺参数的描述，以及所述网格单位填入所述PDK路径和标准单元库路径；

将确定的金属层数和厚度填写至所述PDK路径中的layermap路径；

根据所述layermap路径填写所述PDK路径中的规则文件；

通过lib脚本提取各个工艺角下的信息，并填写所述信息。

2.根据权利要求1所述的工艺库的信息编辑方法，其特征在于，所述通过lib脚本提取各个工艺角下的信息，并填写所述信息包括：

通过lib脚本提取各个工艺角下的lib信息，并填写所述lib信息；

通过人工填写指令填写层堆叠信息，其中，所述层堆叠信息包括：最小宽度、间距、偏移和power_strap；

通过lib脚本提取到的位信息和特殊单元信息，并填写所述位信息和所述特殊单元信息，其中，所述位信息位于所述标准单元库的lef文件。

3.根据权利要求2所述的工艺库的信息编辑方法，其特征在于，所述通过lib脚本提取各个工艺角下的信息包括：

确定目标工艺库的PDK路径和标准单元库路径；

确定lib文件根目录，选择所需的延时模型；

遍历每个VT类型下的所有lib文件，根据所述VT类型和工艺角信息建立分组；

根据每个分组的所述VT类型，获取对应的目录下指定的文件的路径；

通过所述lib文件的文件名，提取晶体管模型、驱动电压和温度；

根据特殊单元类型列表提取所述lib文件中所有特殊单元的名称和所述lef文件中的位信息。

4.根据权利要求1所述的工艺库的信息编辑方法，其特征在于，所述方法还包括：

将SRAM对应的文件依据所述SRAM的尺寸进行整理，得到依据所述SRAM的尺寸进行分类的文件；

依据文件类型对所述文件进行分类，得到分类后的所述文件。

5.根据权利要求4所述的工艺库的信息编辑方法，其特征在于，所述SRAM的命名规则为SRAM{ports}RW{depth}x{width}，其中，ports是指SRAM为单口或双口，depth为SRAM的深度，width为所述SRAM的数据位宽。

6.根据权利要求5所述的工艺库的信息编辑方法，其特征在于，

对所述SRAM的命名进行重命名，得到重命名后的所述SRAM的命名，

其中，重命名后的所述SRAM的命名为SRAM{ports}RW{depth}x{width}_PVT_{voltage}V_{temperature}C.lib格式，其中，ports是指所述SRAM为单口或双口，depth为SRAM的深度，width为SRAM的数据位宽，voltage为工艺角里的电压，小数点替换成P，temperature为工艺角里的温度，负温度用-替换。

7.根据权利要求4所述的工艺库的信息编辑方法，其特征在于，所述方法还包括：

通过lib脚本读取所述SRAM中的端口定义，其中，所述端口定义包括：端口名称和端口极性。

8.根据权利要求4所述的工艺库的信息编辑方法，其特征在于，所述方法还包括：

根据所述SRAM的名称，通过lib脚本生成结构化信息的sram-cache.jason文件。

9.根据权利要求4所述的工艺库的信息编辑方法，其特征在于，所述方法还包括：

在mem.v文件中配置所述SRAM的控制端口，和所述控制端口的值。

10.一种工艺库的信息编辑装置，其特征在于，包括：

获取模块，用于获取lib文件中文件开头中工艺参数的描述，并从PDK路径中的指定文件获取网格单位；

第一编辑模块，用于将所述工艺参数的描述，以及所述网格单位填入所述PDK路径和标准单元库路径；

第二编辑模块，用于将确定的金属层数和厚度填写至所述PDK路径中的layermap路径；

第三编辑模块，用于根据所述layermap路径填写所述PDK路径中的规则文件；

第四编辑模块，用于通过lib脚本提取各个工艺角下的信息，并填写所述信息。