[发明专利]一种阵列基板及其修复方法在审
申请号: | 202211721623.9 | 申请日: | 2022-12-30 |
公开(公告)号: | CN115985918A | 公开(公告)日: | 2023-04-18 |
发明(设计)人: | 辛胜;朱翀煜;李桂锋;金利波 | 申请(专利权)人: | 上海奕瑞光电子科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L27/146;H01L21/77 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 201201 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 及其 修复 方法 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括多条栅线、多条数据线、多条偏置电压线及多个像素单元,其中,所述多条栅线和所述多条数据线相互交叉形成多个限定区域,像素单元位于每个所述限定区域内;所述阵列基板划分为显示区和虚拟区,在所述虚拟区中,所述数据线垂直于阵列基板表面的投影与所述偏置电压线垂直于阵列基板表面的投影存在交叠。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元内设置有薄膜晶体管和光学传感器。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述多条偏置电压线包括多条第一偏置电压线和一条第二偏置电压线,其中,所述多条第一偏置电压线与所述多条数据线平行排布,所述第二偏置电压线位于所述多条第一偏置电压线的一端,且与所述多条第一偏置电压线垂直排布。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一偏压线包括主线部和支线部,在所述虚拟区中,所述支线部覆盖所述薄膜晶体管和部分所述数据线。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,在所述虚拟区中,所述数据线垂直于阵列基板表面的投影与所述第二偏置电压线垂直于阵列基板表面的投影存在交叠。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述数据线延伸至所述第二偏置电压线,以使所述数据线垂直于阵列基板表面的投影与所述第二偏置电压线垂直于阵列基板表面的投影存在交叠。
7.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述第二偏置电压线延伸至所述数据线,以使所述数据线垂直于阵列基板表面的投影与所述第二偏置电压线垂直于阵列基板表面的投影存在交叠。
8.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括栅极驱动单元和处理单元,其中,所述栅极驱动单元与所述多条栅线相连,用于向所述多条栅线提供控制信号,所述处理单元与所述多条数据线相连,用于获取并处理所述多条数据线输出的电信号。
9.一种阵列基板的修复方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:提供一阵列基板,所述阵列基板为权利要求1-8任一项所述的阵列基板,定位待修复的数据线;
S2:在所述虚拟区中,将所述待修复的数据线及与其存在交叠的偏置电压线进行短路连接;
S3:切断所述虚拟区中与所述栅极驱动单元相连的栅线。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的修复方法,其特征在于,步骤S2中,采用激光镭射的方法使所述待修复的数据线及与其存在交叠的偏置电压线短路连接。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的