[发明专利]基板处理装置

说明书

公开了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：壳体，其具有处理空间，基板在处理空间中被处理；支撑单元，其支撑处理空间中的基板；喷淋板，其具有通孔，加工气体通过该通孔流向处理空间；等离子体源，其通过激发供应至处理空间的加工气体来激发等离子体；以及密度调整构件，其通过改变电介质介电常数来调整在处理空间中生成的等离子体的密度，并且密度调整构件位于喷淋板上。

技术领域

本文描述的发明构思的实施例涉及基板处理装置，并且更具体地，涉及用于对基板进行等离子体处理的装置。

背景技术

等离子体是指电离气态，包括离子、自由基和电子。等离子体由非常高的温度、强电场或射频(RF)电磁场生成。半导体器件制造工艺可以包括通过使用等离子体去除形成在基板(诸如晶片)上的薄膜的蚀刻工艺。当等离子体的离子和/或自由基与基板上的薄膜碰撞或与薄膜反应时执行蚀刻工艺。

例如，当使用等离子体执行蚀刻工艺时，在基板的所有区域中的一些区域中形成的薄膜被蚀刻得比在工艺要求条件下多得多，并且在其他区域中形成的薄膜被蚀刻得比在工艺要求条件下少。也就是说，当使用等离子体处理基板时，基板的区域的蚀刻速率之间出现差异。由于各种因素，诸如处理空间中的气体的流动、处理空间中的所供应的加工气体的均匀性、所供应的加工气体的位置以及处理空间中的等离子体的均匀性，基板的区域的蚀刻速率之间出现差异，并且这些因素导致处理空间的区域的等离子体密度或强度之间的差异，其中对基板进行等离子体处理。当处理空间中的等离子体的密度或强度对于区域变得不同时，不同条件的等离子体被施加用于基板的区域。因此，当使用等离子体处理基板时，难以均匀地处理基板的所有区域。

发明内容

本发明构思的实施例提供了一种可以均匀地处理基板的基板处理装置。

本发明构思的实施例还提供了一种可以有效地调整针对处理空间的区域生成的电场的强度的基板处理装置。

本发明构思的实施例还提供了一种可以通过调整在处理空间中生成的电场的强度来用具有均匀密度的等离子体处理基板的基板处理装置。

本发明构思的方面不限于此，并且本领域技术人员从以下描述中可以清楚地理解本发明的其他未提及的方面。

本发明构思提供一种基板处理装置。基板处理装置包括：壳体，其具有处理空间，在处理空间中处理基板；支撑单元，其支撑处理空间中的基板；喷淋板，其具有通孔，加工气体通过通孔流向处理空间；等离子体源，其通过激发供应到处理空间的加工气体来激发等离子体；以及密度调整构件，其通过改变电介质介电常数来调整在处理空间中生成的等离子体的密度，其中密度调整构件位于喷淋板上。

根据实施例，等离子体源可以包括位于喷淋板的上侧上的电极板，并且密度调整构件可以设置在喷淋板和电极板之间。

根据实施例，密度调整构件可以包括多个电介质垫，并且多个电介质垫可以彼此间隔开同时具有不同的介电常数。

根据实施例，通孔可以位于多个间隔开的电介质垫之间的空间中。

根据实施例，电介质垫可以包括中心垫和边缘垫，中心垫可以具有第一电介质介电常数，并且位于包括喷淋板的中心的圆形中心区域中，并且边缘垫可以具有第二电介质介电常数，并且位于围绕中心区域的环形边缘区域中。

根据实施例，第一电介质介电常数可以高于第二电介质介电常数。

根据实施例，第一电介质介电常数可以低于或等于第二电介质介电常数。

根据实施例，电介质垫可以包括多个中心垫和多个边缘垫，多个中心垫可以与中心区域间隔开，并且多个边缘垫可以与边缘区域间隔开。

根据实施例，多个中心垫可以具有不同的电介质介电常数，并且多个边缘垫可以具有不同的电介质介电常数。