[发明专利]基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理装置，其包括：

壳体，其具有处理空间，在所述处理空间中处理基板；

支撑单元，其被配置为支撑所述处理空间中的所述基板；

喷淋板，其具有通孔，加工气体通过所述通孔流向所述处理空间；

等离子体源，其被配置为通过激发供应到所述处理空间的所述加工气体来激发等离子体；以及

密度调整构件，其被配置为通过改变电介质介电常数来调整在所述处理空间中生成的所述等离子体的密度，

其中，所述密度调整构件位于所述喷淋板上。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述等离子体源包括位于所述喷淋板的上侧上的电极板，并且

其中，所述密度调整构件设置在所述喷淋板和所述电极板之间。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述密度调整构件包括多个电介质垫，并且

其中，所述多个电介质垫彼此间隔开，同时具有不同的介电常数。

4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述通孔位于所述多个间隔开的电介质垫之间的空间中。

5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述电介质垫包括中心垫和边缘垫，

其中，所述中心垫具有第一电介质介电常数，并且位于包括所述喷淋板的中心的圆形中心区域中，并且

其中，所述边缘垫具有第二电介质介电常数，并且位于围绕所述中心区域的环形边缘区域中。

6.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述第一电介质介电常数高于所述第二电介质介电常数。

7.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述第一电介质介电常数低于或等于所述第二电介质介电常数。

8.根据权利要求5所述的基板处理装置，其中，所述电介质垫包括多个中心垫和多个边缘垫，

其中，所述多个中心垫与所述中心区域间隔开，并且

其中，所述多个边缘垫与所述边缘区域间隔开。

9.根据权利要求8所述的基板处理装置，其中，所述多个中心垫具有不同的电介质介电常数，并且

其中，所述多个边缘垫具有不同的电介质介电常数。

10.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述电介质垫位于以下区域中的任一个区域中：包括所述喷淋板的中心的中心区域、围绕所述中心区域的中间区域、以及围绕所述中间区域的边缘区域。

11.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述密度调整构件接触所述喷淋板的上部区域。

12.根据权利要求2至11中任一项所述的基板处理装置，其中，所述电极板接地或向所述电极板施加高频电功率。

13.一种基板处理装置，其包括：

壳体，其限定处理空间，在所述处理空间中处理基板；

支撑单元，其被配置为支撑所述处理空间中的所述基板；

气体供应单元，其被配置为供应加工气体；

等离子体源，其被配置为通过在所述处理空间中生成电场来激发供应到所述处理空间中的所述加工气体；以及

密度调整构件，其被配置为通过屏蔽在所述处理空间中生成的所述电场，根据所述处理空间的区域不同地调整通过激发所述加工气体而生成的等离子体的密度。

14.根据权利要求13所述的基板处理装置，其中，所述密度调整构件包括至少一个电介质垫，并且

其中，当从顶部看时，所述电介质垫屏蔽在以下区域中的至少任一个区域中生成的所述电场：包括所述处理空间的中心的中心区域、围绕所述中心区域的中间区域、以及围绕所述中间区域的边缘区域。