[发明专利]静电释放测试的控制方法、射频前端芯片及相关设备

说明书

本申请提供一种静电释放测试的控制方法，该方法用于射频前端芯片，所述射频前端芯片与天线连接，该方法包括：确定所述射频前端芯片中与所述天线接触的至少一个引脚；对于所述至少一个引脚中的每个引脚，控制执行预设次数的静电测试，以得到每个引脚的接触静电电压等级。上述方案，通过对射频前端芯片中所有与天线接触的引脚进行静电测试，确定每个引脚的接触静电电压等级，根据静电等级的结果对每个引脚进行相应的静电防护措施，避免了对所有引脚做静电防护措施，节约材料，简化静电防护的过程。

技术领域

本申请的所公开实施例涉及芯片测试技术领域，且更具体而言，涉及静电释放测试的控制方法、射频前端芯片及相关设备。

背景技术

5G终端的射频架构，一般含有主基带芯片，RF收发器，射频前端芯片或模组(RFFEM，RF Front-End Modules)。在终端设备内，射频前端芯片大部分被安置在PCB版上，并有包地等措施的保护，因此大部分的引脚被低于10kv静电击穿的概率不大。

然而，鉴于5G的空间极限，射频前端芯片内元器件众多，价值较高，一旦某个元器件损坏，则需要更换整个模组，维修成本高。

例如，射频前端芯片与天线连接的引脚，其包裹度相对较差，往往留有一定的空隙，其静电的保护度相对较弱。

因此，为了降低射频前端芯片损坏的可能性，需要进行相关的防护措施。

发明内容

针对上述问题，本申请提供静电释放测试的控制方法、射频前端芯片及相关设备。

为了实现上述目的，本申请提供一种静电释放测试的控制方法，该方法用于射频前端芯片，所述射频前端芯片与天线连接，该方法包括：确定所述射频前端芯片中与所述天线接触的至少一个引脚；对于所述至少一个引脚中的每个引脚，控制执行预设次数的静电测试，以得到每个引脚的接触静电电压等级。

在本申请的一些实施例中，对所述至少一个引脚中每个引脚进行一次静电测试包括控制对所述每个引脚施加接触静电电压以及控制测量在施加接触静电电压时所述每个引脚的对地阻抗并保存；所述预设次数的静电测试中任意相邻两次静电测试采用的接触静电电压间隔预设电压值，且前一次静电测试采用的接触静电电压小于后一次静电测试采用的接触静电电压；所述预设次数的静电测试中最后一次静电测试中，所述每个引脚的对地阻抗满足预设条件，则所述最后一次静电测试采用的接触静电电压作为所述每个引脚的接触静电电压等级。

在本申请的一些实施例中，所述预设条件包括所述每个引脚未施加接触静电电压时所述每个引脚的对地阻抗的预设比例范围。

在本申请的一些实施例中，若所述每个引脚的接触静电电压等级小于预设值，标记所述每个引脚，以使得所述每个引脚被添加静电防护电路。

在本申请的一些实施例中，所述至少一个引脚包括第一引脚、第二引脚和第三引脚；若所述第一引脚的接触静电电压等级小于预设值，且所述第二引脚的接触静电电压等级小于所述预设值，标记所述第一引脚，以使得所述第一引脚被添加静电防护电路。

在本申请的一些实施例中，所述静电防护电路包括相应引脚处添加TVS管、所述天线露铜接地、所述天线结构镭雕接地、所述天线串联电阻中至少一种。

在本申请的一些实施例中，所述至少一个引脚通过射频开关与所述天线间接接触。

本申请提供一种射频前端芯片，其特征在于，与天线连接，所述射频前端芯片是通过上述所述的静电释放测试的控制方法进行测试得到的。

本申请提供一种终端设备，包括壳体、电路板、至少一个天线以及至少一个上述的射频前端芯片，其中所述射频前端芯片设置于所述电路板上，与所述至少一个天线连接。

本申请提供一种电子设备，包括相互耦接的存储器和处理器，所述存储器中存储有程序指令，所述处理器用于执行所述程序指令，以实现上述静电释放测试的控制方法。