[发明专利]静电释放测试的控制方法、射频前端芯片及相关设备

权利要求书

1.一种静电释放测试的控制方法，其特征在于，用于射频前端芯片，所述射频前端芯片与天线连接，包括：

确定所述射频前端芯片中与所述天线接触的至少一个引脚；

对于所述至少一个引脚中的每个引脚，控制执行预设次数的静电测试，以得到每个引脚的接触静电电压等级。

2.根据权利要求1所述的静电释放测试的控制方法，其特征在于，对所述至少一个引脚中每个引脚：

一次静电测试包括控制对所述每个引脚施加接触静电电压以及控制测量在施加接触静电电压时所述每个引脚的对地阻抗并保存；

所述预设次数的静电测试中任意相邻两次静电测试采用的接触静电电压间隔预设电压值，且前一次静电测试采用的接触静电电压小于后一次静电测试采用的接触静电电压；

所述预设次数的静电测试中最后一次静电测试中，所述每个引脚的对地阻抗满足预设条件，则所述最后一次静电测试采用的接触静电电压作为所述每个引脚的接触静电电压等级。

3.根据权利要求2所述的静电释放测试的控制方法，其特征在于，

所述预设条件包括所述每个引脚未施加接触静电电压时所述每个引脚的对地阻抗的预设比例范围。

4.根据权利要求2所述的静电释放测试的控制方法，其特征在于，

若所述每个引脚的接触静电电压等级小于预设值，标记所述每个引脚，以使得所述每个引脚被添加静电防护电路。

5.根据权利要求2所述的静电释放测试的控制方法，其特征在于，

所述至少一个引脚包括第一引脚、第二引脚和第三引脚；

若所述第一引脚的接触静电电压等级小于预设值，且所述第二引脚的接触静电电压等级小于所述预设值，标记所述第一引脚，以使得所述第一引脚被添加静电防护电路。

6.根据权利要求4或者5所述的静电释放测试的控制方法，其特征在于，

所述静电防护电路包括相应引脚处添加TVS管、所述天线露铜接地、所述天线结构镭雕接地、所述天线串联电阻中至少一种。

7.根据权利要求1所述的静电释放测试的控制方法，其特征在于，

所述至少一个引脚通过射频开关与所述天线间接接触。

8.一种射频前端芯片，其特征在于，与天线连接，所述射频前端芯片是通过如权利要求1-7中任一项所述的静电释放测试的控制方法进行测试得到的。

9.一种终端设备，包括壳体、电路板、至少一个天线以及至少一个如权利要求8所述的射频前端芯片，其中所述射频前端芯片设置于所述电路板上，与所述至少一个天线连接。

10.一种电子设备，包括相互耦接的存储器和处理器，所述存储器中存储有程序指令，所述处理器用于执行所述程序指令，以实现权利要求1至7任一项所述的静电释放测试的控制方法。