[发明专利]一种交联剂及其制备方法、光刻胶

说明书

本申请提供一种交联剂及其制备方法、光刻胶，属于光刻技术领域。光刻胶包括溶质和第一溶剂，其中，溶质包括70wt％～95wt％碱溶性树脂、1wt％～30wt％光致产酸剂、0.1wt％～15wt％酸淬灭剂和5wt％～20wt％上述的交联剂，第一溶剂的质量为碱溶性树脂的质量的1倍～10倍。本申请的交联剂能够用于添加到光刻胶中，并使得光刻胶的基体树脂的交联反应更加均匀，减少或避免局部分子量太大引起的形貌缺陷，得到的图形线条边缘更加垂直，且窗口更大。

技术领域

本申请涉及光刻技术领域，具体而言，涉及一种交联剂及其制备方法、光刻胶。

背景技术

光刻胶是微电子技术中微细图形加工的关键材料之一，特别是近年来大规模和超大规模集成电路的发展，更是大大促进了光刻胶的研究开发和应用。

基于光化学放大原理的负性光刻胶含有光致产酸剂及交联剂，经曝光后释放出酸，光致产酸剂能够催化交联剂与树脂相互作用进而发生交联，而交联后的树脂区别于未曝光区域的树脂，变得不溶于显影液，从而在基底材料上留下与掩膜板相反的图形。树脂与交联剂发生交联反应的快慢、交联反应是否均匀，对光刻胶性能有着决定性的影响。

光刻胶是针对曝光波长来设计的，G线436nm、I线365nm、KrF 248nm和ArF 193nm等曝光波长都是目前业界主流的曝光光源波长。在光源曝光时，光强在胶膜中的分布是呈纵向梯度分布的，所以光子浓度也是纵向不均匀的，从而导致引发的化学反应也纵向不均匀，这就意味着图形中不同位置树脂与交联剂发生交联反应也存在差异，如果由于交联反应程度不同导致局部分子量差异太大，生产出来的图形形貌非常容易有缺陷。

发明内容

本申请提供了一种交联剂及其制备方法、光刻胶，其能够改善得到的图形的形貌缺陷。

本申请的实施例是这样实现的：

在第一方面，本申请示例提供了一种交联剂，其结构式如下：

其中，R₁、R₂、R₃和R₄各自独立地选自H、C_1～10饱和或不饱和烷基、C_1～10饱和或不饱和环烷基、或-R₇-O-R₈。

R₅选自C_1～10烷基。

R₆选自H或C_1～20烷基。

R₇选自C_1～10烷基。

R₈选自H或C_1～20烷基。

R₁、R₂、R₃和R₄中任意的至少两个选自第一基团和第二基团中的至少一种。

第一基团的结构式为

第二基团的结构式为-R₇-O-R₈，且R₈不为H。

在上述技术方案中，本申请的交联剂能够用于添加到光刻胶中，并使得光刻胶的基体树脂的交联反应更加均匀，减少或避免局部分子量太大引起的形貌缺陷，得到的图形线条边缘更加垂直，且窗口更大。

结合第一方面，在本申请的第一方面的第一种可能的示例中，上述R₈选自C_8～16烷基。