[发明专利]晶圆级器件封装结构、制作方法及封装体结构在审
申请号: | 202211693657.1 | 申请日: | 2022-12-28 |
公开(公告)号: | CN115954280A | 公开(公告)日: | 2023-04-11 |
发明(设计)人: | 李岩;种兆永;吴炳财 | 申请(专利权)人: | 泉州市三安集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/60;H01L21/768;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/488;H01L23/498;H01L25/16;H01L25/18 |
代理公司: | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人: | 连耀忠 |
地址: | 362000 福建省泉*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 晶圆级 器件 封装 结构 制作方法 | ||
本发明公开了一种晶圆级器件封装结构、制作方法及封装体结构,该晶圆级器件封装结构包括若干个第一器件、围挡层、封盖层、塑封层和引出部,第一器件包括声表面波滤波器,声表面波滤波器的正面设有功能区和位于功能区外侧的焊盘,其他第一器件的正面设有焊盘,塑封层包覆若干第一器件,并使塑封层的正面与第一器件的正面平齐,围挡层设于塑封层和第一器件的正面,并具有裸露焊盘的第一通孔和裸露功能区的第二通孔,封盖层设于围挡层上,并具有与第一通孔配合相通的第三通孔,封盖层与第二通孔围合形成空腔,第一通孔和第三通孔内填充金属构成与焊盘相接的导电结构,引出部与导电结构连接,实现轻薄化和高度集成化的封装。
技术领域
本发明涉及器件封装领域,尤其涉及一种晶圆级器件封装结构、制作方法及封装体结构。
背景技术
伴随着5G时代的来临,移动设备能够使用的频段逐渐增多,射频前端器件的数量增加导致手机内PCB空间紧张,这使得智能手机在满足5G性能下,需要向轻薄化和高集成化方向发展。由于射频模组的现有工艺精度和物料特征,限制了射频模组轻薄化小型化的进一步发展。
现有的射频器件封装过程中需将每个射频器件分别焊接在PCB板中,效率低的同时射频器件所占用的PCB板的面积较大,并且若需集成声表面波滤波器,则需要先完成声表面波滤波器的封装,再将其焊接在PCB板中与其他射频器件集成封装在一起,因此导致成本高,难以实现轻薄化和高集成化。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的不足,提供一种晶圆级器件封装结构、制作方法及封装体结构。
为了实现以上目的,本发明的技术方案为:
一种晶圆级器件封装结构的制作方法,包括以下步骤:
1)于临时载板表面形成粘合层;将若干个第一器件的正面通过所述粘合层键合于所述临时载板上,所述第一器件包括声表面波滤波器,其中所述声表面波滤波器的正面设有功能区和位于功能区外侧的焊盘,其他第一器件的正面设有焊盘;
2)形成包覆所述若干个第一器件的塑封层;
3)去除临时载板和粘合层,裸露出所述第一器件的正面以及所述塑封层的正面,所述塑封层的正面与所述第一器件的正面平齐;
4)于所述第一器件和所述塑封层的正面形成第一绝缘层,蚀刻第一绝缘层形成裸露所述焊盘的第一通孔和裸露所述功能区的第二通孔,以构成围挡层;
5)在所述围挡层上方形成第二绝缘层,第二绝缘层与所述第二通孔围合形成空腔,蚀刻第二绝缘层形成与第一通孔配合相通的第三通孔,以构成封盖层;
6)于第一通孔和第三通孔内填充金属形成与焊盘相接的导电结构;
7)在所述封盖层上方形成引出部以连接所述导电结构。
作为优选,所述步骤1还包括:
将第二器件的正面叠放于其中一个所述第一器件上方,所述第二器件的正面设有焊盘;
所述步骤2中所述塑封层还包覆在所述第二器件的周围;
所述步骤3中移除所述临时载板后,还裸露出所述第二器件的焊盘;
所述步骤4中蚀刻所述第一绝缘层还形成裸露所述第二器件的焊盘的第一通孔。
作为优选,所述第二器件包括功率放大器、开关器件和/或被动器件。
作为优选,所述其他第一器件包括功率放大器、开关器件和/或被动器件。
作为优选,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均采用感光有机干膜,所述步骤5中所述围挡层的制作步骤如下:
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于泉州市三安集成电路有限公司,未经泉州市三安集成电路有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202211693657.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:铝合金防护百叶
- 下一篇:端面异形零件基准找正装置及找正方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造