[发明专利]晶圆级器件封装结构、制作方法及封装体结构

权利要求书

1.一种晶圆级器件封装结构的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

1)于临时载板表面形成粘合层；将若干个第一器件的正面通过所述粘合层键合于所述临时载板上，所述第一器件包括声表面波滤波器，其中所述声表面波滤波器的正面设有功能区和位于功能区外侧的焊盘，其他第一器件的正面设有焊盘；

2)形成包覆所述若干个第一器件的塑封层；

3)去除临时载板和粘合层，裸露出所述第一器件的正面以及所述塑封层的正面，所述塑封层的正面与所述第一器件的正面平齐；

4)于所述第一器件和所述塑封层的正面形成第一绝缘层，蚀刻第一绝缘层形成裸露所述焊盘的第一通孔和裸露所述功能区的第二通孔，以构成围挡层；

5)在所述围挡层上方形成第二绝缘层，第二绝缘层与所述第二通孔围合形成空腔，蚀刻第二绝缘层形成与第一通孔配合相通的第三通孔，以构成封盖层；

6)于第一通孔和第三通孔内填充金属形成与焊盘相接的导电结构；

7)在所述封盖层上方形成引出部以连接所述导电结构。

2.根据权利要求1所述的晶圆级器件封装结构的制作方法，其特征在于：所述步骤1还包括：

将第二器件的正面叠放于其中一个所述第一器件上方，所述第二器件的正面设有焊盘；

所述步骤2中所述塑封层还包覆在所述第二器件的周围；

所述步骤3中移除所述临时载板后，还裸露出所述第二器件的焊盘；

所述步骤4中蚀刻所述第一绝缘层还形成裸露所述第二器件的焊盘的第一通孔。

3.根据权利要求2所述的晶圆级器件封装结构的制作方法，其特征在于：所述第二器件包括功率放大器、开关器件和/或被动器件。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的晶圆级器件封装结构的制作方法，其特征在于：所述其他第一器件包括功率放大器、开关器件和/或被动器件。

5.根据权利要求1-3中任一项所述的晶圆级器件封装结构的制作方法，其特征在于：所述第一绝缘层和所述第二绝缘层均采用感光有机干膜，所述步骤5中所述围挡层的制作步骤如下：

将所述第一绝缘层贴合于所述第一器件和塑封层的正面，并通过曝光、显影在所述第一绝缘层中形成所述第一通孔和第二通孔；

所述步骤6中所述封盖层的制作步骤如下：

将所述第二绝缘层贴合于所述围挡层上，并通过曝光、显影在所述第二绝缘层中形成所述第三通孔。

6.根据权利要求1-3中任一项所述的晶圆级器件封装结构的制作方法，其特征在于：所述步骤7具体包括：

在所述封盖层上形成介质层，在介质层上涂覆光阻，对所述光阻曝光、显影，并对所述介质层进行蚀刻，形成布线图案；

通过电镀工艺对所述布线图案进行金属填充，形成与所述导电结构连接的金属布线层，所述金属布线层与所述介质层构成重布线层；

在所述重布线层上制作UBM层及其上方的焊块。

7.根据权利要求6所述的晶圆级器件封装结构的制作方法，其特征在于：所述重布线层为多层。

8.根据权利要求1-3中任一项所述的晶圆级器件封装结构的制作方法，其特征在于：所述步骤7之后还包括：

将所述步骤7得到的结构进行切割，得到包含至少一个声表面波滤波器以及至少一个其他第一器件的封装体结构。

9.一种晶圆级器件封装结构，其特征在于：包括若干个第一器件、围挡层、封盖层、塑封层和引出部，所述第一器件包括声表面波滤波器，其中所述声表面波滤波器的正面设有功能区和位于功能区外侧的焊盘，其他第一器件的正面设有焊盘，所述塑封层包覆所述若干个第一器件，并使所述塑封层的正面与所述第一器件的正面平齐，所述围挡层设于所述塑封层和所述第一器件的正面，并具有裸露所述焊盘的第一通孔和裸露所述功能区的第二通孔，所述封盖层设于所述围挡层上，并具有与所述第一通孔配合相通的第三通孔，所述封盖层与所述第二通孔围合形成空腔，所述第一通孔和第三通孔内填充金属构成与所述焊盘相接的导电结构，所述引出部设于所述封盖层上，并与所述导电结构连接。