[发明专利]一种免干涉二极管吸笔结构在审
申请号: | 202211687401.X | 申请日: | 2022-12-27 |
公开(公告)号: | CN116093003A | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 叶晓刚 | 申请(专利权)人: | 先之科半导体科技(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人: | 何新华 |
地址: | 523430 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 干涉 二极管 结构 | ||
本发明提供一种免干涉二极管吸笔结构,包括吸笔本体,所述吸笔本体的底部形成有锥形吸嘴,所述锥形吸嘴的底部开设有防偏位吸槽;所述吸笔本体的内腔共轴心形成有与所述防偏位吸槽连通的真空气腔,所述吸笔本体的下部相对两侧面形成有侧槽,两侧所述侧槽均与所述防偏位吸槽连通;两侧所述侧槽内均设置有弹片;所述侧槽的深度大于所述弹片的厚度;所述弹片的上部通过螺丝与所述侧槽连接;所述弹片的下部延伸进所述防偏位吸槽内;两侧所述侧槽靠近上部的位置通过调节螺栓连接有椭圆压块;所述椭圆压块保持与所述弹片相抵接触;位于所述防偏位吸槽内的相对两侧弹片之间形成夹持空间。可配合产品自动调整夹持空间大小的基础上,简化结构,便于更换。
技术领域
本发明涉及二极管加工技术领域,尤其涉及一种免干涉二极管吸笔结构。
背景技术
中国授权公告号为CN114464565A,公告日为2022年05月10日,专利名称为一种高精度可调贴片二极管吸笔结构,包括吸笔本体,吸笔本体的底部形成锥形吸嘴,吸笔本体的内部共轴心设置有真空气腔;吸笔本体靠近所述吸嘴的位置套设有限位套,限位套的下方通过螺栓连接有防偏块;防偏块底部的中心位置开设有防偏位让位腔;吸嘴的底部贯穿防偏块并且真空气腔与防偏位让位腔连通;防偏块位于所述防偏位让位腔的相对两侧设置有辅助夹持结构;辅助夹持结构包括分别设置在防偏位让位腔相对两侧的扇形块以及与扇形块连接的缓冲弹簧;防偏位让位腔的相对两侧壁均开设有收纳扇形块和缓冲弹簧的位移让位槽。该现有技术存在的缺陷是:吸笔头部偏大,取料时会干涉到相应位置的器件,容易出现撞坏的情况;辅助夹持结构不易更换;并且,整体结构相对复杂,增加生产难度;鉴于这种情况,亟待改善。
发明内容
基于此,本发明的目的在于提供一种免干涉二极管吸笔结构,可配合产品自动调整夹持空间大小的基础上,简化结构,便于更换。
本发明提供一种免干涉二极管吸笔结构,包括吸笔本体,所述吸笔本体的底部形成有锥形吸嘴,所述锥形吸嘴的底部开设有防偏位吸槽;所述吸笔本体的内腔共轴心形成有与所述防偏位吸槽连通的真空气腔,所述吸笔本体的下部相对两侧面形成有侧槽,两侧所述侧槽均与所述防偏位吸槽连通;两侧所述侧槽内均设置有弹片;所述侧槽的深度大于所述弹片的厚度;所述弹片的上部通过螺丝与所述侧槽连接;所述弹片的下部延伸进所述防偏位吸槽内;两侧所述侧槽靠近上部的位置通过调节螺栓连接有椭圆压块;所述椭圆压块保持与所述弹片相抵接触;位于所述防偏位吸槽内的相对两侧弹片之间形成夹持空间。
进一步,所述弹片包括一体形成的垂直安装段、倾斜连接段、水平夹持段,所述垂直安装段开设有与所述螺丝配合的螺丝孔;所述椭圆压块设置在与所述倾斜连接段对应的位置。
进一步,所述水平夹持段的自由端连接有橡胶保护块。
进一步,所述侧槽包括竖向槽段和倾斜槽段,所述垂直安装段对应设置在所述竖向槽段;所述倾斜连接段和水平夹持段对应设置在所述倾斜槽段;所述竖向槽段和倾斜槽段之间的过渡处形成有与所述倾斜连接段和垂直安装段过渡处相抵接触的折弯抵压部。
进一步,所述吸笔本体的下部并且位于所述锥形吸嘴的上方套设有塑胶外套。
本发明的有益效果为:通过在两侧设置侧槽,弹片收纳在侧槽内,位于锥形吸嘴内的相对两侧弹片之间形成夹持空间,当需要调整夹持空间大小时,可通过旋转调节螺栓改变椭圆压块对弹片的压紧位置即可,无需增大吸笔下部的面积,从而避免出现干涉的情况;更换时,松开螺丝和调节螺栓便可将弹片取出,操作简便快捷,大大简化了结构。
附图说明
图1为本发明的侧面剖视图。
图2为弹片的侧视图。
图3为吸笔本体带塑胶外套的侧视图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造