[发明专利]一种免干涉二极管吸笔结构在审
申请号: | 202211687401.X | 申请日: | 2022-12-27 |
公开(公告)号: | CN116093003A | 公开(公告)日: | 2023-05-09 |
发明(设计)人: | 叶晓刚 | 申请(专利权)人: | 先之科半导体科技(东莞)有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 东莞市永桥知识产权代理事务所(普通合伙) 44400 | 代理人: | 何新华 |
地址: | 523430 广东省东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 干涉 二极管 结构 | ||
1.一种免干涉二极管吸笔结构,包括吸笔本体(10),所述吸笔本体(10)的底部形成有锥形吸嘴(27),所述锥形吸嘴(27)的底部开设有防偏位吸槽(19);所述吸笔本体(10)的内腔共轴心形成有与所述防偏位吸槽(19)连通的真空气腔(11),其特征在于:所述吸笔本体(10)的下部相对两侧面形成有侧槽(13),两侧所述侧槽(13)均与所述防偏位吸槽(19)连通;两侧所述侧槽(13)内均设置有弹片(16);所述侧槽(13)的深度大于所述弹片(16)的厚度;所述弹片(16)的上部通过螺丝(12)与所述侧槽(13)连接;所述弹片(16)的下部延伸进所述防偏位吸槽(19)内;两侧所述侧槽(13)靠近上部的位置通过调节螺栓(15)连接有椭圆压块(14);所述椭圆压块(14)保持与所述弹片(16)相抵接触;位于所述防偏位吸槽(19)内的相对两侧弹片(16)之间形成夹持空间。
2.根据权利要求1所述的一种免干涉二极管吸笔结构,其特征在于:所述弹片(16)包括一体形成的垂直安装段(22)、倾斜连接段(23)、水平夹持段(24),所述垂直安装段(22)开设有与所述螺丝配合的螺丝孔(21);所述椭圆压块(14)设置在与所述倾斜连接段(23)对应的位置。
3.根据权利要求2所述的一种免干涉二极管吸笔结构,其特征在于:所述水平夹持段(24)的自由端连接有橡胶保护块(25)。
4.根据权利要求3所述的一种免干涉二极管吸笔结构,其特征在于:所述侧槽(13)包括竖向槽段(26)和倾斜槽段(18),所述垂直安装段(22)对应设置在所述竖向槽段(26);所述倾斜连接段(23)和水平夹持段(24)对应设置在所述倾斜槽段(18);所述竖向槽段(26)和倾斜槽段(18)之间的过渡处形成有与所述倾斜连接段(23)和垂直安装段(22)过渡处相抵接触的折弯抵压部(20)。
5.根据权利要求1-4任一项所述的一种免干涉二极管吸笔结构,其特征在于:所述吸笔本体(10)的下部并且位于所述锥形吸嘴(27)的上方套设有塑胶外套(17)。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造