[发明专利]用于单细胞筛选的多级化微流控芯片及其制备方法

权利要求书

1.用于单细胞筛选的多级化微流控芯片，其特征在于：包括PDMS结构层和与之键合的配套电极，所述PDMS结构层内设置有用于进行细胞捕获和分选的微通道结构，所述微通道结构包括依次连通的多级分选单元，分选单元均包括分选腔，分选腔包括分散区、捕获区和出样区。

2.根据权利要求1所述的用于单细胞筛选的多级化微流控芯片，其特征在于：所述分散区内设置有若干分流微柱，若干分流微柱交错设置。

3.根据权利要求2所述的用于单细胞筛选的多级化微流控芯片及其制备方法，其特征在于：所述捕获区内设置有若干样品通道，样品通道内均阵列设置有若干捕获腔室，且样品通道靠近出样区的一端均设置有挡板。

4.根据权利要求3所述的用于单细胞筛选的多级化微流控芯片，其特征在于：所述出样区与样品通道连通，出样区连通有出样通道，出样通道内均固定有倾斜设置的截留板。

5.根据权利要求4所述的用于单细胞筛选的多级化微流控芯片，其特征在于：所述配套电极为金属电极阵列结构，且配套电极包括与多级分选单元分别对应的多级电极阵列单元。

6.根据权利要求1-5任一所述的用于单细胞筛选的多级化微流控芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、绘制微通道结构；

步骤二、设计电极阵列；

步骤三、利用软光刻工艺制备给予PDMS的微通道结构；

步骤四、采用溅射-光刻法制备金电极；

步骤五、将电极阵列与微通道结构进行表面等离子处理并键合封装。

7.根据权利要求6所述的用于单细胞筛选的多级化微流控芯片的制备方法，其特征在于：步骤三中，利用软光刻工艺制备微通道结构的具体造作为：在硅片上旋涂20μm-200μm的光刻胶，用热板软烘后曝光处理，随后放入显影液中显影，再用热板硬烘，制作出通道模板，用PDMS脱模，得到微通道结构层。

8.根据权利要求7所述的用于单细胞筛选的多级化微流控芯片的制备方法，其特征在于：步骤四中，制备金电极的具体方法为：在石英玻璃上用磁控溅射仪溅射一层5-10nm的金属层，再溅射一层厚度100nm-300nm的金，并旋涂一层光刻胶，用热板进行软烘后曝光处理，随后放入显影液中显影，放入刻蚀液中刻蚀，最后用除胶液除胶，得到金电极。

9.根据权利要求8所述的用于单细胞筛选的多级化微流控芯片的制备方法，其特征在于：步骤五中，等离子体处理时间为10-15s，键合的温度为100-150℃。

10.根据权利要求9所述的用于单细胞筛选的多级化微流控芯片的制备方法，其特征在于：对键合后的芯片进行真空脱气处理，真空脱气处理的时间＞30min。