[发明专利]一种带V型腔的陶瓷外壳及其制造方法

说明书

本发明提供了一种带V型腔的陶瓷外壳及其制造方法，所述方法包括有准备生瓷片，生瓷片依次分为为底片大板、中片大板和上片大板；分别对上片大板和中片大板进行冲孔处理；在第一中片单元上印刷金属线路；对第二中片单元进行层压处理，并用激光打孔机加工出斜面，得到带V型腔体的瓷片层；将经过步骤S3处理的第一中片单元沿着第二腔体边缘进行切割刀痕处理；将第一中片单元和瓷片层通过定型层压板压合成中片大板；按照叠放的先后顺序，将底片大板、中片大板和上片大板叠合后，进行层压处理，得到坯体；将坯体分切成m个坯体单元；对坯体单元进行烧结，得到陶瓷单元。通过本发明的制造方法，能够制造出带V型腔体的陶瓷外壳，从而增加了光耦合器的受光面积。

技术领域

本发明涉及光耦合器外壳成型技术领域，特别指一种带V型腔的陶瓷外壳及其制造方法。

背景技术

光电耦合器是以光为媒介传输电信号的一种电-光-电转换器件。它由发光源和受光器两部分组成。把发光源和受光器组装在一个的陶瓷壳体内。陶瓷壳体传统的制造过程主要分别调配陶瓷浆料，将陶瓷浆料通过流延成型的方式制备生瓷片、在各个生瓷片上冲垂直腔，随后在生瓷片印刷电路，将各个生瓷片进行层压处理，各个生瓷带压实后进行分切，切出若干个生瓷壳体单元，随后将壳体单元进行烧结。

传统的制造方法，在冲出垂直腔后，就将各个生瓷片叠放在一起进行层压，因此，采用上述方式制造的陶瓷壳体内腔为垂直腔室7，陶瓷壳体的结构如图1所示。具有垂直腔室的陶瓷壳体光接受效率小，不符合产品进一步发展的需求。

发明内容

本发明要解决的技术问题，在于提供一种带V型腔的陶瓷外壳及其制造方法，能够直接制造出带V型腔的陶瓷外壳，能够增加光耦合器的受光面积。

第一方面，本发明提供了一种带V型腔的陶瓷外壳的制造方法，包括有如下步骤：

S1、准备生瓷片，并按照叠放的先后顺序，将生瓷片依次分为底片大板、中片大板和上片大板；所述中片大板包括有一个第一中片单元和n个第二中片单元；n的数量根据产品的所需的层数设定。

S2、分别对上片大板、第一中片单元和第二中片单元进行冲腔处理，在上片大板上冲出第一腔体，在第一中片单元上冲出第二腔体，在在第二中片单元上冲出第三腔体；

S3、第一中片单元上印刷金属线路；

S4、n个第二中片单元叠放后进行层压处理，并用激光打孔机加工出斜面，得到带V型腔体的瓷片层；

S5、将第一中片单元沿着第二腔体边缘进行切割刀痕处理；

S6、将瓷片层和经过步骤S5处理的第一中片单元通过定型层压板压合成带V型腔体的中片大板；

S7、按照叠放的先后顺序，将底片大板、中片大板和上片大板叠合后，进行层压处理，得到坯体；

S8、将坯体分切成m个坯体单元；

S9、对坯体单元进行烧结，得到陶瓷单元。

进一步的，所述生瓷片的制作步骤如下：

S11、将陶瓷粉、粘合剂、分散剂和增塑剂及溶剂按一定比例经过球磨一定时间，形成陶瓷浆料；

S12、将所述步骤S11中形成的陶瓷浆料进行流延成型，得到生瓷片。

进一步的，完成所述步骤S6后，沿V型腔体边缘修裁多余的瓷体。

进一步的，对陶瓷单元进行化镀、钎焊和电镀处理。

进一步的，所述金属化线路印刷在第一中片单元的顶部，且在经过步骤S6后，金属化线路分布在第一中片单元的平直段和斜面段，且平直段和斜面段上的金属化线路相连通。

进一步的，所述切割刀痕设置在第二腔体的左右边缘。