[发明专利]一种带V型腔的陶瓷外壳及其制造方法在审
申请号: | 202211665348.3 | 申请日: | 2022-12-23 |
公开(公告)号: | CN116313823A | 公开(公告)日: | 2023-06-23 |
发明(设计)人: | 林智杰;张南菊;常发;王羽;戴品强;傅建树 | 申请(专利权)人: | 福建闽航电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/48 | 分类号: | H01L21/48;G02B6/42;H01L23/04 |
代理公司: | 福州市京华专利代理事务所(普通合伙) 35212 | 代理人: | 范小清 |
地址: | 353000 福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 陶瓷 外壳 及其 制造 方法 | ||
1.一种带V型腔的陶瓷外壳的制造方法,其特征在于:包括有如下步骤:
S1、准备生瓷片,并按照叠放的先后顺序,将生瓷片依次分为底片大板、中片大板和上片大板;所述中片大板包括有一个第一中片单元和n个第二中片单元;
S2、分别对上片大板、第一中片单元和第二中片单元进行冲腔处理,在上片大板上冲出第一腔体,在第一中片单元上冲出第二腔体,在第二中片单元上冲出第三腔体;
S3、第一中片单元上印刷金属线路;
S4、n个第二中片单元叠放后进行层压处理,并用激光打孔机加工出斜面,得到带V型腔体的瓷片层;
S5、将第一中片单元沿着第二腔体边缘进行切割刀痕处理;
S6、将瓷片层和经过步骤S5处理的第一中片单元通过定型层压板压合成带V型腔体的中片大板;
S7、按照叠放的先后顺序,将底片大板、中片大板和上片大板叠合后,进行层压处理,得到坯体;
S8、将坯体分切成m个坯体单元;
S9、对坯体单元进行烧结,得到陶瓷单元。
2.如权利要求1所述的一种带V型腔的陶瓷外壳的制造方法,其特征在于:所述生瓷片的制作步骤如下:
S11、将陶瓷粉、粘合剂、分散剂和增塑剂及溶剂按一定比例经过球磨一定时间,形成陶瓷浆料;
S12、将所述步骤S11中形成的陶瓷浆料进行流延成型,得到生瓷片。
3.如权利要求1或2所述的一种带V型腔的陶瓷外壳的制造方法,其特征在于:完成所述步骤S6后,沿V型腔体边缘修裁多余的瓷体。
4.如权利要求3所述的一种带V型腔的陶瓷外壳的制造方法,其特征在于:对陶瓷单元进行化镀、钎焊和电镀处理。
5.如权利要求1所述的一种带V型腔的陶瓷外壳的制造方法,其特征在于:所述金属化线路印刷在第一中片单元的顶部,且在经过步骤S6后,金属化线路分布在第一中片单元的平直段和斜面段,且平直段和斜面段上的金属化线路相连通。
6.如权利要求1所述的一种带V型腔的陶瓷外壳的制造方法,其特征在于:所述切割刀痕设置在第二腔体的左右边缘。
7.一种带V型腔的陶瓷外壳,其特征在于:包括有底片、中片和上片,所述中片设置在底片的顶部,所述中片设置有V型腔体,所述上片设置在中片的顶部,所述上片设置有与V型腔体连接的方形腔体。
8.如权利要求5所述的一种带V型腔的陶瓷外壳,其特征在于:所述V型腔体两斜面的夹角大于等于90度,且小于等于160度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造