[发明专利]叠置误差的校正方法及半导体元件的制备方法

说明书

本公开提供一种叠置误差的校正方法。该校正方法包括基于一第一叠置标记产生一第一叠置误差，其中该第一叠置误差指示该第一叠置标记的一下部图案和一上部图案之间的一错位，以及，因应于检测该第一叠置误差的异常，基于一第二叠置标记产生一第二叠置误差，并根据该第二叠置误差确定该第一叠置误差中的异常是否由该下部图案和该上部图案的该错位引起。

交叉引用

本申请案主张美国第17/568,041及17/568,118号专利申请案的优先权(即优先权日为“2022年1月4日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。

技术领域

本公开关于一种叠置误差的校正方法及半导体元件的制备方法。

背景技术

随着半导体工业的发展，在光刻操作中减少光刻胶图案和底层图案的叠置误差(overlay error)变得更加重要。由于各种因素，如测量结构的不对称形状，使得正确测量叠置误差变得更加困难，因此需要一种新的叠置标记和方法，以更精确地测量叠置误差。

上文的“现有技术”说明仅提供背景技术，并未承认上文的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

发明内容

本公开的一个方面提供一种叠置校正的标记。该标记包括一第一图案和一第二图案。该第一图案设置在一基底的一第一表面上。该第二图案设置在该基底的一第二表面上，该基底的该第二表面与该基底的第一表面相对。该第一图案至少与该第二图案的一部分重叠，并且该第一图案和该第二图案共同定义一第一叠置误差。

本公开的另一个方面提供一种叠置校正的标记。该标记包括一第一叠置标记和一第二叠置标记。该第一叠置标记包括设置在一基底的一第一表面上的一第一图案和一第二图案。该第一叠置标记用来产生一第一叠置误差。该第二叠置标记包括设置在该基底的一第二表面的一第三图案和设置在该基底的该第一表面的一第四图案。该基底的该第一表面与该基底的该第二表面相对。该第二叠置标记用来产生一第二叠置误差，且该第二叠置标记用来校正该第一叠置误差。

本公开的另一个方面提供一种叠置误差的校正方法。该方法包括基于一第一叠置标记产生一第一叠置误差，其中该第一叠置误差指示该第一叠置标记的一下部图案和一上部图案之间的一错位，以及，因应于检测该第一叠置误差的异常，基于一第二叠置标记产生一第二叠置误差，并根据该第二叠置误差确定该第一叠置误差中的异常是否由该下部图案和该上部图案的该错位引起。

本公开的另一个方面提供一种半导体元件的制备方法。该制备方法包括提供一基底，具有一第一表面和其相对的一第二表面，在该基底的该第一表面上形成一第一图案，在该基底的该第二表面上形成一第二图案，形成覆盖该第二图案的一中间结构，在该基底的该第二表面上形成一第三图案，其中该第二图案和该第三图案共同定义一第一叠置误差，以及在该基底的该第二表面上形成一第四图案，其中该第一图案和该第四图案共同定义一第二叠置误差。

本公开的实施例提供用于叠置误差测量的叠置标记。可共用两个叠置标记来确定叠置误差的异常是由当层和前层的错位造成，或是由晶圆翘曲造成。使用两个叠置标记的两个测量步骤，可以防止曝光设备的不准确调整。因此，可以提高曝光设备的可用时间。

上文已相当广泛地概述本公开的技术特征及优点，从而使下文的本公开详细描述得以获得较佳了解。构成本公开的权利要求标的的其它技术特征及优点将描述于下文。本公开所属技术领域中技术人员应了解，可相当容易地利用下文揭示的概念与特定实施例可作为修改或设计其它结构或工艺而实现与本公开相同的目的。本公开所属技术领域中技术人员亦应了解，这类等效建构无法脱离权利要求所界定的本公开的构思和范围。

附图说明

参阅实施方式与权利要求合并考量附图时，可得以更全面了解本申请案的揭示内容，附图中相同的元件符号是指相同的元件。