[发明专利]用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

说明书

一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法包括形成存储器块，所述存储器块个别地包括包含交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠。沟道材料串延伸穿过所述绝缘层级及所述导电层级。水平伸长的沟槽位于横向紧邻的存储器块之间。导体材料在所述沟槽的侧壁中且横向地在所述导电层级及所述绝缘层级之上竖向地沿着所述侧壁延伸，并且将个别所述导电层级的导电材料直接电耦合在一起。将所述导体材料暴露于氧化条件下，以横向地在个别所述绝缘层级之上形成横向穿过所述导体材料的绝缘氧化物，以将所述个别导电层级的所述导电材料分开而使其不通过所述导体材料直接电耦合在一起。揭示额外实施例。

技术领域

本文揭示的实施例涉及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。

背景技术

存储器是一种类型的集成电路系统且在计算机系统中用于存储数据。存储器可制造成个别存储器单元的一或多个阵列。可使用数字线(其也可称为位线、数据线或感测线)和存取线(其也可称为字线)对存储器单元进行写入或读取。感测线可沿着阵列的列导电互连存储器单元，且存取线可沿着阵列的行导电互连存储器单元。每一存储器单元可通过感测线与存取线的组合唯一地寻址。

存储器单元可为易失性的、半易失性的或非易失性的。非易失性存储器单元可在不存在电力的情况下存储数据达延长的时间段。非易失性存储器常规地被指定为具有至少约10年的留存时间的存储器。易失性存储器会耗散且因此被刷新/重写以维持数据存储。易失性存储器可具有数毫秒或更短的留存时间。无论如何，存储器单元经配置以将存储器留存或存储在至少两种不同的可选状态中。在二进制系统中，所述状态被视为“0”或“1”。在其它系统中，至少一些个别存储器单元可经配置以存储多于两种电平或状态的信息。

场效应晶体管是一种可用于存储器单元中的电子组件。这些晶体管包括一对导电源极/漏极区域，所述源极/漏极区域在其之间具有半导电沟道区域。导电栅极邻近沟道区域且通过薄栅极绝缘体与沟道区域分开。将合适电压施加到栅极允许电流通过沟道区域从源极/漏极区域中的一者流动到另一者。当从栅极去除电压时，在很大程度上防止电流流过沟道区域。场效应晶体管还可包含额外结构，例如可逆地可编程电荷存储区域，作为栅极绝缘体与导电栅极之间的栅极构造的部分。

快闪存储器是一种类型的存储器，且在现代计算机及装置中具有众多用途。例如，现代个人计算机可具有存储在快闪存储器芯片上的BIOS。作为另一实例，对于计算机及其它装置来说，在固态驱动器中利用快闪存储器来取代常规硬盘驱动器变得越来越普遍。作为又一实例，快闪存储器在无线电子装置中很受欢迎，因为其使制造商能够在新通信协议被标准化时支持新通信协议，且提供远程升级所述装置以增强特征的能力。

存储器阵列可布置成存储器页、存储器块和部分块(例如，子块)和存储器平面，例如如在第2015/0228651号、第2016/0267984号和第2017/0140833号美国公开专利申请案中展示及描述。存储器块可至少部分地定义竖直堆叠存储器单元的个别字线层级中的个别字线的纵向轮廓。与这些字线的连接可发生在竖直堆叠存储器单元的阵列的末端或边缘处的所谓“楼梯台阶结构”中。楼梯台阶结构包含个别“楼梯”(也称为“台阶”或“楼梯台阶”)，其定义个别字线的接触区域，竖向延伸的导电通孔在所述接触区域上接触以提供对字线的电接入。

发明内容

根据本申请案的一方面，提供一种用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。所述方法包括：形成存储器块，所述存储器块个别地包括包含交替的绝缘层级与导电层级的竖直堆叠，沟道材料串延伸穿过所述绝缘层级及所述导电层级；水平伸长的沟槽，其位于横向紧邻的所述存储器块之间，导体材料在所述沟槽的侧壁中且横向地在所述导电层级及所述绝缘层级之上竖向地沿着所述侧壁延伸，并且将所述个别导电层级的导电材料直接电耦合在一起；以及将所述导体材料暴露于氧化条件下，以横向地在个别所述绝缘层级之上形成横向穿过所述导体材料的绝缘氧化物，以将所述个别导电层级的所述导电材料分开而使其不通过所述导体材料直接电耦合在一起。